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Halbleiter
Diskrete Halbleiter
MOSFET
Toshiba TPCS8211(TE12L,Q) N-Kanal Dual, SMD MOSFET Transistor 20 V / 6 A 1,1 W, 8-Pin TSSOP
RS Best.-Nr.:
415-241
Herst. Teile-Nr.:
TPCS8211(TE12L,Q)
Marke:
Toshiba
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Nicht mehr im Sortiment
RS Best.-Nr.:
415-241
Herst. Teile-Nr.:
TPCS8211(TE12L,Q)
Marke:
Toshiba
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Technische Daten
TPCS8211 TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (U-MOSIII) Data Sheet
RoHS Status: kompatibel (Zertifikat anzeigen)
Konformitätserklärung
Zweifach-MOSFET N-Kanal, Serie TPC, Toshiba
MOSFET-Transistoren, Toshiba
Eigenschaft
Wert
Channel-Typ
N
Dauer-Drainstrom max.
6 A
Drain-Source-Spannung max.
20 V
Gehäusegröße
TSSOP
Montage-Typ
SMD
Pinanzahl
8
Drain-Source-Widerstand max.
24 mΩ
Channel-Modus
Enhancement
Verlustleistung max.
1,1 W
Gate-Source Spannung max.
-12 V, +12 V
Anzahl der Elemente pro Chip
2
Betriebstemperatur max.
+150 °C
Länge
3mm
Gate-Ladung typ. @ Vgs
20 nC @ 5 V
Breite
4.4mm
Höhe
0.85mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
RS Best.-Nr.:
415-241
Herst. Teile-Nr.:
TPCS8211(TE12L,Q)
Marke:
Toshiba
Mehr Infos und technische Dokumente
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Produktdetails
Technische Daten
TPCS8211 TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (U-MOSIII) Data Sheet
RoHS Status: kompatibel (Zertifikat anzeigen)
Konformitätserklärung
Zweifach-MOSFET N-Kanal, Serie TPC, Toshiba
MOSFET-Transistoren, Toshiba
Eigenschaft
Wert
Channel-Typ
N
Dauer-Drainstrom max.
6 A
Drain-Source-Spannung max.
20 V
Gehäusegröße
TSSOP
Montage-Typ
SMD
Pinanzahl
8
Drain-Source-Widerstand max.
24 mΩ
Channel-Modus
Enhancement
Verlustleistung max.
1,1 W
Gate-Source Spannung max.
-12 V, +12 V
Anzahl der Elemente pro Chip
2
Betriebstemperatur max.
+150 °C
Länge
3mm
Gate-Ladung typ. @ Vgs
20 nC @ 5 V
Breite
4.4mm
Höhe
0.85mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C