Renesas Electronics 64MBit LowPower SRAM 4M, 16bit / Wort, μTSOP II 52-Pin
- RS Best.-Nr.:
- 767-5967
- Herst. Teile-Nr.:
- R1WV6416RSD-5SI#B0
- Marke:
- Renesas Electronics
Nicht mehr im Sortiment
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- 767-5967
- Herst. Teile-Nr.:
- R1WV6416RSD-5SI#B0
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Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
SRAM mit geringem Stromverbrauch, Serie R1WV, Renesas Electronics
Die hoch entwickelten Niederspannungs-SRAMs der Serie R1WV eignen sich für Anwendungen, bei denen einfache Kopplung, Batteriebetrieb und Batteriepufferung sind die wichtigen Zielsetzungen des Designs sind.
Einfaches Netzteil mit 2,7 V oder 3,6 V
Kleine Ruhestromanforderungen
Keine Taktung, keine Aktualisierung erforderlich
Alle Eingänge und Ausgänge sind TTL-kompatibel.
Kleine Ruhestromanforderungen
Keine Taktung, keine Aktualisierung erforderlich
Alle Eingänge und Ausgänge sind TTL-kompatibel.
SRAM (Static Random Access Memory)
Technische Daten
Eigenschaft | Wert |
|---|---|
| Speicher Größe | 64MBit |
| Organisation | 4 M Wörter x 16 bit |
| Anzahl der Wörter | 4M |
| Anzahl der Bits pro Wort | 16bit |
| Zugriffszeit max. | 55ns |
| Low Power | Ja |
| Timing Typ | Asymmetrisch |
| Montage-Typ | SMD |
| Gehäusegröße | μTSOP II |
| Pinanzahl | 52 |
| Abmessungen | 10.89 x 8.99 x 1mm |
| Höhe | 1mm |
| Arbeitsspannnung max. | 3,6 V |
| Arbeitsspannnung min. | 2,7 V |
| Betriebstemperatur min. | -40 °C |
| Länge | 10.89mm |
| Betriebstemperatur max. | +85 °C |
| Breite | 8.99mm |