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Diskrete Halbleiter
Darlington Transistoren
Infineon PNP Darlington-Paar 60 V 500 mA HFE:2000, SOT-23 3-Pin Einfach
RS Best.-Nr.:
752-8072P
Herst. Teile-Nr.:
BCV46E6327HTSA1
Marke:
Infineon
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RS Best.-Nr.:
752-8072P
Herst. Teile-Nr.:
BCV46E6327HTSA1
Marke:
Infineon
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Technische Daten
BCV26, BCV46, PNP Silicon Darlington Transistor
ESD Control Selection Guide V1
RoHS Status: kompatibel (Zertifikat anzeigen)
Konformitätserklärung
Darlington-Transistoren, Infineon
Bipolare Transistoren, Infineon
Eigenschaft
Wert
Transistor-Typ
PNP
Dauer-Kollektorstrom max.
500 mA
Kollektor-Emitter-Spannung
60 V
Basis-Emitter Spannung max.
10 V
Gehäusegröße
SOT-23
Montage-Typ
SMD
Pinanzahl
3
Transistor-Konfiguration
Einfach
Anzahl der Elemente pro Chip
1
Gleichstromverstärkung min.
2000
Basis-Emitter-Sättigungsspannung max.
1,5 V
Kollektor-Basis-Spannung max.
80 V
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung max.
1 V
Kollektor-Abschaltstrom max.
10µA
Länge
2.9mm
Betriebstemperatur max.
+150 °C
Breite
1.3mm
Abmessungen
2.9 x 1.3 x 0.9mm
Verlustleistung max.
360 mW
Höhe
0.9mm