N-Kanal, THT MOSFET 250 V / 30 A 150000 mW, 3-Pin TO-3PN
- RS Best.-Nr.:
- 185-653
- Herst. Teile-Nr.:
- 2SK2967(F)
- Marke:
- Toshiba
Nicht mehr im Sortiment
- RS Best.-Nr.:
- 185-653
- Herst. Teile-Nr.:
- 2SK2967(F)
- Marke:
- Toshiba
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
- Ursprungsland:
- JP
Produktdetails
MOSFET-N-Kanal, 2SK-Serie (nicht mehr erhältlich), Toshiba
MOSFET-Transistoren, Toshiba
Technische Daten
Eigenschaft | Wert |
|---|---|
| Channel-Typ | N |
| Dauer-Drainstrom max. | 30 A |
| Drain-Source-Spannung max. | 250 V |
| Gehäusegröße | TO-3PN |
| Montage-Typ | THT |
| Pinanzahl | 3 |
| Drain-Source-Widerstand max. | 68 mΩ |
| Channel-Modus | Enhancement |
| Gate-Schwellenspannung max. | 3.5V |
| Verlustleistung max. | 150000 mW |
| Transistor-Konfiguration | Einfach |
| Gate-Source Spannung max. | -20 V, +20 V |
| Transistor-Werkstoff | Si |
| Länge | 15.9mm |
| Betriebstemperatur max. | +150 °C |
| Breite | 4.8mm |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 |
| Gate-Ladung typ. @ Vgs | 132 nC @ 10 V |
| Höhe | 19mm |
| Betriebstemperatur min. | -55 °C |