NXP 2N7002E,215 N-Kanal, SMD MOSFET Transistor 60 V / 380 mA 830 mW, 3-Pin TO-236AB
- RS Best.-Nr.:
- 725-8307
- Herst. Teile-Nr.:
- 2N7002E,215
- Marke:
- NXP
Nicht mehr im Sortiment
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- 725-8307
- Herst. Teile-Nr.:
- 2N7002E,215
- Marke:
- NXP
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
- Ursprungsland:
- CN
Produktdetails
N-Kanal-MOSFET, NXP
Hinweis
NXP ist eine Marke von NXP B.B.
MOSFET-Transistoren, NXP
Technische Daten
Eigenschaft | Wert |
|---|---|
| Channel-Typ | N |
| Dauer-Drainstrom max. | 380 mA |
| Drain-Source-Spannung max. | 60 V |
| Gehäusegröße | TO-236AB |
| Montage-Typ | SMD |
| Pinanzahl | 3 |
| Drain-Source-Widerstand max. | 3 Ω |
| Channel-Modus | Enhancement |
| Gate-Schwellenspannung max. | 2.5V |
| Gate-Schwellenspannung min. | 1V |
| Verlustleistung max. | 830 mW |
| Transistor-Konfiguration | Einfach |
| Gate-Source Spannung max. | -30 V, +30 V |
| Länge | 3mm |
| Betriebstemperatur max. | +150 °C |
| Breite | 1.4mm |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 |
| Gate-Ladung typ. @ Vgs | 0,69 nC @ 10 V |
| Höhe | 1mm |
| Betriebstemperatur min. | -65 °C |