STMicroelectronics MDmesh STD13NM60N N-Kanal, SMD MOSFET 650 V / 11 A 90 W, 3-Pin DPAK (TO-252)
- RS Best.-Nr.:
- 760-9881
- Herst. Teile-Nr.:
- STD13NM60N
- Marke:
- STMicroelectronics
Nicht mehr im Sortiment
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- 760-9881
- Herst. Teile-Nr.:
- STD13NM60N
- Marke:
- STMicroelectronics
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Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
N-Kanal MDmesh™, 600 V/650 V, STMicroelectronics
MOSFET-Transistoren, STMicroelectronics
Technische Daten
Eigenschaft | Wert |
|---|---|
| Channel-Typ | N |
| Dauer-Drainstrom max. | 11 A |
| Drain-Source-Spannung max. | 650 V |
| Gehäusegröße | DPAK (TO-252) |
| Montage-Typ | SMD |
| Pinanzahl | 3 |
| Drain-Source-Widerstand max. | 360 mΩ |
| Channel-Modus | Enhancement |
| Gate-Schwellenspannung max. | 4V |
| Gate-Schwellenspannung min. | 2V |
| Verlustleistung max. | 90 W |
| Transistor-Konfiguration | Einfach |
| Gate-Source Spannung max. | –25 V, +25 V |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 |
| Breite | 6.2mm |
| Länge | 6.6mm |
| Betriebstemperatur max. | +150 °C |
| Gate-Ladung typ. @ Vgs | 30 nC @ 10 V |
| Transistor-Werkstoff | Si |
| Serie | MDmesh |
| Höhe | 2.4mm |
- RS Best.-Nr.:
- 760-9881
- Herst. Teile-Nr.:
- STD13NM60N
- Marke:
- STMicroelectronics