Vishay D Series SiHP14N50D-GE3 N-Kanal, THT MOSFET 500 V / 14 A 208 W, 3-Pin TO-220AB

RS Best.-Nr.:: 787-9216
Herst. Teile-Nr.:: SiHP14N50D-GE3
Marke:: Vishay

Vishay D Series SiHP14N50D-GE3 N-Kanal, THT MOSFET 500 V / 14 A 208 W, 3-Pin TO-220AB

Nicht mehr im Sortiment

RS Best.-Nr.:: 787-9216
Herst. Teile-Nr.:: SiHP14N50D-GE3
Marke:: Vishay

SiHP14N50D, D Series Power MOSFET Data Sheet
ESD Control Selection Guide V1

Eigenschaft	Wert
Channel-Typ	N
Dauer-Drainstrom max.	14 A
Drain-Source-Spannung max.	500 V
Gehäusegröße	TO-220AB
Montage-Typ	THT
Pinanzahl	3
Drain-Source-Widerstand max.	400 mΩ
Channel-Modus	Enhancement
Gate-Schwellenspannung min.	3V
Verlustleistung max.	208 W
Transistor-Konfiguration	Einfach
Gate-Source Spannung max.	-30 V, +30 V
Transistor-Werkstoff	Si
Anzahl der Elemente pro Chip	1
Betriebstemperatur max.	+150 °C
Breite	4.65mm
Länge	10.51mm
Gate-Ladung typ. @ Vgs	29 nC @ 10 V
Betriebstemperatur min.	-55 °C
Serie	D Series
Höhe	9.01mm

Vishay D Series SiHP14N50D-GE3 N-Kanal, THT MOSFET 500 V / 14 A 208 W, 3-Pin TO-220AB

N-Kanal MOSFET D, Serie Hohe Spannung, Vishay Semiconductor