onsemi THT Fototransistor IR 7μs → 880nm, 2-Pin T1.3/4

RS Best.-Nr.:: 184-1423
Herst. Teile-Nr.:: QSD123
Marke:: onsemi

onsemi THT Fototransistor IR 7μs → 880nm, 2-Pin T1.3/4

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Herst. Teile-Nr.:: QSD123
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Datasheet QSD123

Rechtliche Anforderungen

Produktdetails

Der QSD122, QSD123, QSD124 ist ein Silizium-Fototransistor, der in einem transparenten, schwarzen T-1 3/4-Gehäuse mit Infrarot gekapselt ist.

NPN-Silizium-Fototransistor
Gehäusetyp: T-1 3/4
Gekerbter Emitter: QED12X/QED22X/QED23X.
Schmaler Empfangswinkel: 24 °C.
Tageslichtfilter
Gehäusematerial und -farbe: schwarzes Epoxidharz
Hohe Empfindlichkeit
Anwendungen:
Dieses Produkt ist für die allgemeine Verwendung und für viele verschiedene Anwendungen geeignet.

Technische Daten

Eigenschaft	Wert
Erkennbare Spektren	IR
Fallzeit typ.	7µs
Regelanstiegszeit	7µs
Anzahl der Kanäle	1
Dunkelstrom max.	100nA
Empfindlichkeit-Halbwertswinkel	±12 °
Anzahl der Pins	2
Montage Typ	THT
Gehäusetyp	T1.3/4
Abmessungen	6.1 Dia. x 8.77mm
Kollektorstrom	16mA
Durchmesser	6.1mm
Empfindlichkeit im Spektralbereich	880 nm
Wellenlänge max.	880nm
Sättigungsspannung	0.4V
Emitter-Kollektor-Spannung	5V
Ausgangssignaltyp	Phototransistor
Höhe über Panel	8.77mm
Kollektor-Emitter-Spannung	30V

RS Best.-Nr.:: 184-1423
Herst. Teile-Nr.:: QSD123
Marke:: onsemi

Datasheet QSD123