- RS Best.-Nr.:
- 480-1087
- Herst. Teile-Nr.:
- G3VM-61E1
- Marke:
- Omron
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- Herst. Teile-Nr.:
- G3VM-61E1
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- Ursprungsland:
- JP
Produktdetails
MOSFET-Halbleiterrelais G3VM
Halbleiterrelais mit MOSFET-Ausgang und Foto-LED-Eingang
Kombiniert die Vorteile von mechanischer und Festkörpertechnologie
Geringer Widerstand und geringe Ausgangskapazität
Lange Lebensdauer
Viele Modelle verfügbar
Ideal für Telekommunikations-Lösungen geeignet, einschließlich Leitungsbelegungen, Schaltungen, Gabelumschaltungen, Steuerung von Leitungstransformatoren und anderer Telefonfunktionen
Kombiniert die Vorteile von mechanischer und Festkörpertechnologie
Geringer Widerstand und geringe Ausgangskapazität
Lange Lebensdauer
Viele Modelle verfügbar
Ideal für Telekommunikations-Lösungen geeignet, einschließlich Leitungsbelegungen, Schaltungen, Gabelumschaltungen, Steuerung von Leitungstransformatoren und anderer Telefonfunktionen
Universal-MOSFET-Halbleiterrelais G3VM-61E1.
Das MOSFET-Relais G3VM-61E1 ist Bestandteil der weiterentwickelten G3VM-61B/E-Serie und bietet eine Fülle von Vorteilen, die von wartungsfreien Relais erwartet werden. DIP(Dual in-Line)-Relais als 1-poliger Schließer, mit 6 Anschlussstiften. Das Relais dieser Serie dient zum Schalten von analogen Kleinsignalen.
Merkmale und Vorteile des Halbleiterrelais G3VM-61E1
MOSFET-Halbleiterrelais.
SMD-Relais-Anschlussklemmen.
DIP6 (Dual In-Line)
SMD
Kontaktform: 1-poliger Schließer 1a.
6 Relais-Anschlussklemmen.
Lastspannung: 60 V.
Laststrom: 500 mA max.
Laststromanschluss A, B: 500 mA.
Laststromanschluss C: 1000 mA.
Maximaler Widerstand bei Ausgang EIN: 1 Ω.
Leckstrom bei Relais offen: 1000 nA max.
Kapazität zwischen den Klemmen: 130 pF.
SSR-Einschaltzeit: 2 ms max.
SSR-Abschaltzeit: 0,5 ms max.
Durchschlagsfestigkeit zwischen E/A: 2500 V eff.
Schalten von analogen Signalen
RoHS-konform.
SMD-Relais-Anschlussklemmen.
DIP6 (Dual In-Line)
SMD
Kontaktform: 1-poliger Schließer 1a.
6 Relais-Anschlussklemmen.
Lastspannung: 60 V.
Laststrom: 500 mA max.
Laststromanschluss A, B: 500 mA.
Laststromanschluss C: 1000 mA.
Maximaler Widerstand bei Ausgang EIN: 1 Ω.
Leckstrom bei Relais offen: 1000 nA max.
Kapazität zwischen den Klemmen: 130 pF.
SSR-Einschaltzeit: 2 ms max.
SSR-Abschaltzeit: 0,5 ms max.
Durchschlagsfestigkeit zwischen E/A: 2500 V eff.
Schalten von analogen Signalen
RoHS-konform.
Zusätzliche Merkmale des Universal Halbleiterrelais G3VM-61E1
Lange Betriebslebensdauer.
Geringer Leckstrom.
SSR verfügt über eine ausgezeichnete Stoßfestigkeit.
Hohe Isolierung.
Geräuscharmer Betrieb.
Hochgeschwindigkeitsschalten.
Steuerung des Mikro-Analog-Signals.
Foto-LED-Eingang.
Statusausgang.
Kompakt
Betriebstemperaturbereich: -20°C bis +65°C, keine Vereisung oder Kondensation.
Löttemperatur 260 °C.
Geringer Leckstrom.
SSR verfügt über eine ausgezeichnete Stoßfestigkeit.
Hohe Isolierung.
Geräuscharmer Betrieb.
Hochgeschwindigkeitsschalten.
Steuerung des Mikro-Analog-Signals.
Foto-LED-Eingang.
Statusausgang.
Kompakt
Betriebstemperaturbereich: -20°C bis +65°C, keine Vereisung oder Kondensation.
Löttemperatur 260 °C.
Andere Anwendungsbeispiele.
Prüf- und Messgeräte.
Kommunikationsgeräte.
Sicherheitsgeräte.
Industrielle Geräte.
Stromkreis.
Unterhaltungssysteme.
Kommunikationsgeräte.
Sicherheitsgeräte.
Industrielle Geräte.
Stromkreis.
Unterhaltungssysteme.
Technische Daten
Eigenschaft | Wert |
---|---|
Laststrom max. | 0,5 A |
Montage Typ | Oberflächenmontage |
Lastspannung max. | 60 Vac |
Lastspannung min. | 0 Vac |
Steuerspannung max. | 1,3 V |
Schalttyp | DC |
Steuerspannungsbereich | Max. 1,3 V |
Laststrom min. | 500 mA |
Anschluss Typ | Leiterplattenstift |
Kontaktanordnung | 1-poliger Schließer |
Ausgangsschaltung | MOSFET |
Gehäuseform | SMD6 |
Serie | G3VM |
Lastspannungsbereich | 0 → 60V ac |
Abmessungen | 7.12 x 6.4 x 3.65mm |
Betriebstemperaturbereich | -40 → +85°C |
Höhe | 3.7mm |
Leckstrom im "Aus"-Zustand | 50 mA |
Betriebstemperatur max. | +85°C |
Länge | 7.1mm |
Betriebstemperatur min. | -40°C |
Tiefe | 6.4mm |
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