- RS Best.-Nr.:
- 194-596
- Herst. Teile-Nr.:
- MUBW15-12A6K
- Marke:
- IXYS
Nicht mehr im Sortiment
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- 194-596
- Herst. Teile-Nr.:
- MUBW15-12A6K
- Marke:
- IXYS
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Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
IGBT-Module IXYS
IGBTs, diskret, und IGBT-Module, IXYS
Der Insulated-Gate Bipolar Transistor oder IGBT ist ein Leistungshalbleitergerät mit drei Anschlussklemmen, das für seine hohe Effizienz und schnelle Schaltvorgänge bekannt ist. Der IGBT verbindet die einfache Charakteristik der Gate-Ansteuerung mit der hohen Strom- und niedrigen Sättigungsspannungsfestigkeit von bipolaren Transistoren durch die Kombination eines FET mit isoliertem Gate für den Steuereingang mit einem bipolaren Leistungstransistor als Schalter in einem einzigen Gerät.
Technische Daten
Eigenschaft | Wert |
---|---|
Dauer-Kollektorstrom max. | 19 A |
Kollektor-Emitter-Spannung | 1200 V |
Gate-Source Spannung max. | ±20V |
Konfiguration | Dreiphasenbrücke |
Montage-Typ | PCB-Montage |
Channel-Typ | N |
Pinanzahl | 25 |
Transistor-Konfiguration | 3-phasig |
Abmessungen | 82 x 37.4 x 17.1mm |
Betriebstemperatur min. | -40 °C |
Betriebstemperatur max. | +125 °C |