- RS Best.-Nr.:
- 168-7754
- Herst. Teile-Nr.:
- STGW39NC60VD
- Marke:
- STMicroelectronics
Voraussichtlich ab 28.02.2025 verfügbar.
Preis pro Stück (In einer Stange von 30)
4,524 €
(ohne MwSt.)
5,384 €
(inkl. MwSt.)
Stück | Pro Stück | Pro Stange* |
30 - 60 | 4,524 € | 135,72 € |
90 - 480 | 3,615 € | 108,45 € |
510 - 960 | 3,212 € | 96,36 € |
990 + | 2,719 € | 81,57 € |
*Bitte VPE beachten |
- RS Best.-Nr.:
- 168-7754
- Herst. Teile-Nr.:
- STGW39NC60VD
- Marke:
- STMicroelectronics
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Rechtliche Anforderungen
- Ursprungsland:
- CN
Produktdetails
IGBT, diskret, STMicroelectronics
IGBT, diskrete Bauteile und Module, STMicroelectronics
Der Insulated-Gate Bipolar Transistor oder IGBT ist ein Leistungshalbleitergerät mit drei Anschlussklemmen, das für seine hohe Effizienz und schnelle Schaltvorgänge bekannt ist. Der IGBT verbindet die einfache Charakteristik der Gate-Ansteuerung mit der hohen Strom- und niedrigen Sättigungsspannungsfestigkeit von bipolaren Transistoren durch die Kombination eines FET mit isoliertem Gate für den Steuereingang mit einem bipolaren Leistungstransistor als Schalter in einem einzigen Gerät.
Technische Daten
Eigenschaft | Wert |
---|---|
Dauer-Kollektorstrom max. | 80 A |
Kollektor-Emitter-Spannung | 600 V |
Gate-Source Spannung max. | ±20V |
Verlustleistung max. | 250 W |
Gehäusegröße | TO-247 |
Montage-Typ | THT |
Channel-Typ | N |
Pinanzahl | 3 |
Schaltgeschwindigkeit | 1MHz |
Transistor-Konfiguration | Einfach |
Abmessungen | 15.75 x 5.15 x 20.15mm |
Betriebstemperatur min. | –55 °C |
Betriebstemperatur max. | +150 °C |
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