Vishay SUD50P04-08-GE3 P-Kanal, SMD MOSFET 40 V / 50 A 73,5 W, 3-Pin DPAK (TO-252)
- RS Best.-Nr.:
- 169-5793
- Herst. Teile-Nr.:
- SUD50P04-08-GE3
- Marke:
- Vishay
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Rechtliche Anforderungen
- Ursprungsland:
- TW
Produktdetails
P-Kanal MOSFET, 30 V bis 80 V, Vishay Semiconductor
MOSFET-Transistoren, Visahy Semiconductor
Technische Daten
Eigenschaft | Wert |
|---|---|
| Channel-Typ | P |
| Dauer-Drainstrom max. | 50 A |
| Drain-Source-Spannung max. | 40 V |
| Gehäusegröße | DPAK (TO-252) |
| Montage-Typ | SMD |
| Pinanzahl | 3 |
| Drain-Source-Widerstand max. | 10 mΩ |
| Channel-Modus | Enhancement |
| Gate-Schwellenspannung max. | 2.5V |
| Gate-Schwellenspannung min. | 1V |
| Verlustleistung max. | 73,5 W |
| Transistor-Konfiguration | Einfach |
| Gate-Source Spannung max. | -20 V, +20 V |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 |
| Breite | 6.22mm |
| Transistor-Werkstoff | Si |
| Betriebstemperatur max. | +150 °C |
| Länge | 6.73mm |
| Gate-Ladung typ. @ Vgs | 106 nC @ 10 V |
| Höhe | 2.38mm |
| Diodendurchschlagsspannung | 1.5V |
| Betriebstemperatur min. | –55 °C |
- RS Best.-Nr.:
- 169-5793
- Herst. Teile-Nr.:
- SUD50P04-08-GE3
- Marke:
- Vishay
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