Vishay SUM110P06-07L-E3 P-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 110 A 3750 mW, 3-Pin D2PAK (TO-263)

RS Best.-Nr.:: 710-5060
Herst. Teile-Nr.:: SUM110P06-07L-E3
Marke:: Vishay

Vishay SUM110P06-07L-E3 P-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 110 A 3750 mW, 3-Pin D2PAK (TO-263)

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P-Kanal MOSFET, 30 V bis 80 V, Vishay Semiconductor

MERKMALE
• TrenchFET ® Leistungs-MOSFET
• Gehäuse mit niedrigem Wärmewiderstand

MOSFET-Transistoren, Visahy Semiconductor

Technische Daten

Eigenschaft	Wert
Channel-Typ	P
Dauer-Drainstrom max.	110 A
Drain-Source-Spannung max.	60 V
Gehäusegröße	D2PAK (TO-263)
Montage-Typ	SMD
Pinanzahl	3
Drain-Source-Widerstand max.	7 mΩ
Channel-Modus	Enhancement
Gate-Schwellenspannung min.	1V
Verlustleistung max.	3750 mW
Transistor-Konfiguration	Einfach
Gate-Source Spannung max.	-20 V, +20 V
Länge	10.41mm
Breite	9.65mm
Transistor-Werkstoff	Si
Anzahl der Elemente pro Chip	1
Gate-Ladung typ. @ Vgs	230 nC bei 10 V
Betriebstemperatur max.	+175 °C
Betriebstemperatur min.	-55 °C
Höhe	4.83mm

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Herst. Teile-Nr.:: SUM110P06-07L-E3
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Vishay SUM110P06-07L-E3 P-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 110 A 3750 mW, 3-Pin D2PAK (TO-263)

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P-Kanal MOSFET, 30 V bis 80 V, Vishay Semiconductor

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