- RS Best.-Nr.:
- 791-9434
- Herst. Teile-Nr.:
- ECH8601M-TL-H
- Marke:
- ON Semiconductor
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- 791-9434
- Herst. Teile-Nr.:
- ECH8601M-TL-H
- Marke:
- ON Semiconductor
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Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Dual-N-Kanal-MOSFET, ON Semiconductor
MOSFET-Transistoren, ON Semiconductor
Technische Daten
Eigenschaft | Wert |
---|---|
Channel-Typ | N |
Dauer-Drainstrom max. | 8 A |
Drain-Source-Spannung max. | 24 V |
Gehäusegröße | ECH |
Montage-Typ | SMD |
Pinanzahl | 8 |
Drain-Source-Widerstand max. | 23 mΩ |
Channel-Modus | Enhancement |
Gate-Schwellenspannung max. | 1.3V |
Verlustleistung max. | 1,5 W |
Transistor-Konfiguration | Gemeinsamer Drain |
Gate-Source Spannung max. | -12 V, +12 V |
Anzahl der Elemente pro Chip | 2 |
Breite | 2.3mm |
Gate-Ladung typ. @ Vgs | 7,5 nC @ 4,5 V |
Transistor-Werkstoff | Si |
Länge | 2.9mm |
Betriebstemperatur max. | +150 °C |
Höhe | 0.9mm |
- RS Best.-Nr.:
- 791-9434
- Herst. Teile-Nr.:
- ECH8601M-TL-H
- Marke:
- ON Semiconductor