- RS Best.-Nr.:
- 908-3821
- Herst. Teile-Nr.:
- CSD17573Q5BT
- Marke:
- Texas Instruments
Nicht mehr im Sortiment
- RS Best.-Nr.:
- 908-3821
- Herst. Teile-Nr.:
- CSD17573Q5BT
- Marke:
- Texas Instruments
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Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Texas Instruments
MOSFET-Transistoren, Texas Instruments
Technische Daten
Eigenschaft | Wert |
---|---|
Channel-Typ | N |
Dauer-Drainstrom max. | 43 A |
Drain-Source-Spannung max. | 30 V |
Gehäusegröße | VSCON-CLIP |
Montage-Typ | SMD |
Pinanzahl | 8 |
Drain-Source-Widerstand max. | 1,45 mΩ |
Channel-Modus | Enhancement |
Verlustleistung max. | 3,2 W |
Transistor-Konfiguration | Einfach |
Gate-Source Spannung max. | -20 V, +20 V |
Transistor-Werkstoff | Si |
Betriebstemperatur max. | +150 °C |
Gate-Ladung typ. @ Vgs | 49 nC @ 4,5 V |
Breite | 5.1mm |
Anzahl der Elemente pro Chip | 1 |
Länge | 6.1mm |
Höhe | 1.05mm |
Diodendurchschlagsspannung | 1V |
Betriebstemperatur min. | –55 °C |
Serie | NexFET |