- RS Best.-Nr.:
- 919-4208
- Herst. Teile-Nr.:
- SI2319CDS-T1-GE3
- Marke:
- Vishay
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- Herst. Teile-Nr.:
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- Marke:
- Vishay
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Rechtliche Anforderungen
- Ursprungsland:
- CN
Produktdetails
P-Kanal MOSFET, 30 V bis 80 V, Vishay Semiconductor
MERKMALE
• halogenfrei gemäß IEC 61249-2-21
Definition
• TrenchFET ® Leistungs-MOSFET
• 100 % Rg geprüft
• Erfüllt RoHS-Direktive 2002/95/EG
ANWENDUNGEN
• Lastschalter
• DC/DC-Wandler
• halogenfrei gemäß IEC 61249-2-21
Definition
• TrenchFET ® Leistungs-MOSFET
• 100 % Rg geprüft
• Erfüllt RoHS-Direktive 2002/95/EG
ANWENDUNGEN
• Lastschalter
• DC/DC-Wandler
MOSFET-Transistoren, Visahy Semiconductor
Technische Daten
Eigenschaft | Wert |
---|---|
Channel-Typ | P |
Dauer-Drainstrom max. | 4,4 A |
Drain-Source-Spannung max. | 40 V |
Gehäusegröße | SOT-23 |
Montage-Typ | SMD |
Pinanzahl | 3 |
Drain-Source-Widerstand max. | 108 mΩ |
Channel-Modus | Enhancement |
Gate-Schwellenspannung min. | 1.2V |
Verlustleistung max. | 2,5 W |
Transistor-Konfiguration | Einfach |
Gate-Source Spannung max. | -20 V, +20 V |
Transistor-Werkstoff | Si |
Betriebstemperatur max. | +150 °C |
Breite | 1.4mm |
Gate-Ladung typ. @ Vgs | 13,6 nC @ 10 V |
Anzahl der Elemente pro Chip | 1 |
Länge | 3.04mm |
Höhe | 1.02mm |
Betriebstemperatur min. | –55 °C |
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