Vishay SI2333DDS-T1-GE3 P-Kanal, SMD MOSFET 12 V / 6 A 1,7 W, 3-Pin SOT-23
- RS Best.-Nr.:
- 919-4220
- Herst. Teile-Nr.:
- SI2333DDS-T1-GE3
- Marke:
- Vishay
45000 lieferbar innerhalb von 1 Werktag(en) (Mo-Fr).
Nicht als Expresslieferung erhältlich
Im Warenkorb
Preis pro Stück (Auf einer Rolle von 3000)
0,468 €
(ohne MwSt.)
0,557 €
(inkl. MwSt.)
| Stück | Pro Stück | Pro Rolle* |
| 3000 + | 0,468 € | 1.404,00 € |
| *Bitte VPE beachten | ||
- RS Best.-Nr.:
- 919-4220
- Herst. Teile-Nr.:
- SI2333DDS-T1-GE3
- Marke:
- Vishay
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
- Ursprungsland:
- CN
Produktdetails
P-Kanal MOSFET, 8 V bis 20 V, Vishay Semiconductor
MOSFET-Transistoren, Visahy Semiconductor
Technische Daten
Eigenschaft | Wert |
|---|---|
| Channel-Typ | P |
| Dauer-Drainstrom max. | 6 A |
| Drain-Source-Spannung max. | 12 V |
| Gehäusegröße | SOT-23 |
| Montage-Typ | SMD |
| Pinanzahl | 3 |
| Drain-Source-Widerstand max. | 19 Ω |
| Channel-Modus | Enhancement |
| Gate-Schwellenspannung min. | 0.4V |
| Verlustleistung max. | 1,7 W |
| Transistor-Konfiguration | Einfach |
| Gate-Source Spannung max. | –8 V, +8 V |
| Gate-Ladung typ. @ Vgs | 23 nC @ 8 V |
| Länge | 3.04mm |
| Betriebstemperatur max. | +150 °C |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 |
| Breite | 1.4mm |
| Transistor-Werkstoff | Si |
| Höhe | 1.02mm |
| Betriebstemperatur min. | –55 °C |
- RS Best.-Nr.:
- 919-4220
- Herst. Teile-Nr.:
- SI2333DDS-T1-GE3
- Marke:
- Vishay
Verwandte Produkte
- Vishay SI2323DDS-T1-GE3 P-Kanal3 A 1 3-Pin SOT-23
- Vishay Siliconix TrenchFET Si2319DDS-T1-GE3 P-Kanal6 A 1 3-Pin SOT-23
- Vishay SI2367DS-T1-GE3 P-Kanal2 A 1 3-Pin SOT-23
- Vishay SI2319CDS-T1-GE3 P-Kanal4 A 2 3-Pin SOT-23
- Vishay SI2365EDS-T1-GE3 P-Kanal7 A 1 3-Pin SOT-23
- Vishay SI2304DDS-T1-GE3 N-Kanal6 A 1 3-Pin SOT-23
- Vishay SI2374DS-T1-GE3 N-Kanal9 A 1 3-Pin SOT-23
- Vishay SI2393DS-T1-GE3 P-Kanal1 A SOT-23