- RS Best.-Nr.:
- 180-8212
- Herst. Teile-Nr.:
- BPW34S
- Marke:
- Vishay
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- Marke:
- Vishay
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Rechtliche Anforderungen
- Ursprungsland:
- PH
Produktdetails
Vishay PIN-Diode
Die Silizium-PIN-Fotodiode der Vishay TEMD-Serie für Durchgangsbohrungen ist das neueste Gerät mit einer Fotokurrienklasse von 70 μA und einer Peak Wavelength Rating von 900 nm. Er verfügt über eine hohe Geschwindigkeit und hohe Strahlungsempfindlichkeit in einem transparenten Miniatur-Kunststoffgehäuse mit flacher, Top View. Er ist für Hochgeschwindigkeits-Fotodetektor geeignet. Die Diode hat eine Verlustleistung von 215 mW mit 2 nA Dunkelstrom.
Eigenschaften und Vorteile
Winkel mit halber Empfindlichkeit: F= ±65°
Winkel mit halber Empfindlichkeit: F= ±65°
Abmessungen (LxBxH): 5,4 mm x 4,3 mm x 3,2 mm
Abmessungen (LxBxH): 5,4 mm x 4,3 mm x 3,2 mm
Schnelle Reaktionszeiten
Schnelle Reaktionszeiten
Hohe Fotoempfindlichkeit
Hohe Fotoempfindlichkeit
Hohe Strahlungsempfindlichkeit
Hohe Strahlungsempfindlichkeit
Gehäuseform: Top
Gehäuseform: Top
Gehäusetyp: Mit Anschlussdrähten
Gehäusetyp: Mit Anschlussdrähten
Strahlungsempfindlicher Bereich: 7,5 mm2
Strahlungsempfindlicher Bereich: 7,5 mm2
Geeignet für sichtbare und nahe Infrarotstrahlung
Geeignet für sichtbare und nahe Infrarotstrahlung
Winkel mit halber Empfindlichkeit: F= ±65°
Abmessungen (LxBxH): 5,4 mm x 4,3 mm x 3,2 mm
Abmessungen (LxBxH): 5,4 mm x 4,3 mm x 3,2 mm
Schnelle Reaktionszeiten
Schnelle Reaktionszeiten
Hohe Fotoempfindlichkeit
Hohe Fotoempfindlichkeit
Hohe Strahlungsempfindlichkeit
Hohe Strahlungsempfindlichkeit
Gehäuseform: Top
Gehäuseform: Top
Gehäusetyp: Mit Anschlussdrähten
Gehäusetyp: Mit Anschlussdrähten
Strahlungsempfindlicher Bereich: 7,5 mm2
Strahlungsempfindlicher Bereich: 7,5 mm2
Geeignet für sichtbare und nahe Infrarotstrahlung
Geeignet für sichtbare und nahe Infrarotstrahlung
Zertifizierungen
2002/95/EG
E 3
Grün (5-2008)
bleifreie Komponente (Pb)
WEEE 2002/96/EG
E 3
Grün (5-2008)
bleifreie Komponente (Pb)
WEEE 2002/96/EG