- RS Best.-Nr.:
- 901-5843
- Herst. Teile-Nr.:
- RMLV0414EGSB-4S2#AA0
- Marke:
- Renesas Electronics
Nicht mehr im Sortiment
- RS Best.-Nr.:
- 901-5843
- Herst. Teile-Nr.:
- RMLV0414EGSB-4S2#AA0
- Marke:
- Renesas Electronics
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Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Energiesparversion-SRAM, Serie RMLV, Renesas Electronics
Die Serie RMLV von erweiterten Hochleistungs-SRAM-Speichern bietet höhere Dichte, niedrigen Stromverbrauch und Standby-Verlustleistung mit geringem Verbrauch.
Einfaches 2,7 bis 3,6 V Netzteil
Zugriffszeit: 45 ns (max.)
Gleiche Zugriffs- und Zykluszeiten
Gemeinsamer Dateneingang und -ausgang mit Drei-Punkt-Ausgang
Alle Eingänge und Ausgänge sind TTL-kompatibel
Geeignet für Batteriepufferungsbetrieb
Zugriffszeit: 45 ns (max.)
Gleiche Zugriffs- und Zykluszeiten
Gemeinsamer Dateneingang und -ausgang mit Drei-Punkt-Ausgang
Alle Eingänge und Ausgänge sind TTL-kompatibel
Geeignet für Batteriepufferungsbetrieb
SRAM (Static Random Access Memory)
Technische Daten
Eigenschaft | Wert |
---|---|
Speicher Größe | 4MBit |
Organisation | 256K x 16 bit |
Anzahl der Wörter | 256K |
Anzahl der Bits pro Wort | 16bit |
Zugriffszeit max. | 45ns |
Adressbusbreite | 16bit |
Taktfrequenz | 1MHz |
Low Power | Ja |
Montage-Typ | SMD |
Gehäusegröße | TSOP |
Pinanzahl | 44 |
Abmessungen | 18.51 x 10.26 x 1mm |
Arbeitsspannnung max. | 3,6 V |
Höhe | 1mm |
Breite | 10.26mm |
Arbeitsspannnung min. | 2,7 V |
Betriebstemperatur max. | +85 °C |
Länge | 18.51mm |
Betriebstemperatur min. | –40 °C |