onsemi NPN Darlington-Transistor 30 V 1,2 A HFE:4000, SOT-23 3-Pin Einfach

RS Best.-Nr.:: 671-1125
Herst. Teile-Nr.:: BCV27
Marke:: onsemi

onsemi NPN Darlington-Transistor 30 V 1,2 A HFE:4000, SOT-23 3-Pin Einfach

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Darlington NPN-Transistoren, Fairchild Semiconductor

Bipolare Transistoren, Fairchild Semiconductor

Eine breite Palette an bipolaren Junction-Transistoren (BJT) bietet komplette Lösungen für verschiedene Stromkreisanwendungsanforderungen. Innovative Gehäuse bieten minimale Größe, höchste Zuverlässigkeit und maximale Wärmeleistung.

Technische Daten

Eigenschaft	Wert
Transistor-Typ	NPN
Dauer-Kollektorstrom max.	1,2 A
Kollektor-Emitter-Spannung	30 V
Basis-Emitter Spannung max.	10 V
Gehäusegröße	SOT-23
Montage-Typ	SMD
Pinanzahl	3
Transistor-Konfiguration	Einfach
Anzahl der Elemente pro Chip	1
Gleichstromverstärkung min.	4000
Basis-Emitter-Sättigungsspannung max.	1,5 V
Kollektor-Basis-Spannung max.	40 V
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung max.	1 V
Kollektor-Abschaltstrom max.	0.0001mA
Betriebstemperatur max.	+150 °C
Betriebstemperatur min.	-55 °C
Breite	1.3mm
Höhe	0.93mm
Länge	2.92mm
Abmessungen	2.92 x 1.3 x 0.93mm

RS Best.-Nr.:: 671-1125
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onsemi NPN Darlington-Transistor 30 V 1,2 A HFE:4000, SOT-23 3-Pin Einfach

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