NPN Emmitter geschaltet FJBE2150DTU 2.21V 2 A, D2PAK (TO-263) 3-Pin
- RS Best.-Nr.:
- 864-8953
- Herst. Teile-Nr.:
- FJBE2150DTU
- Marke:
- ON Semiconductor
Nicht mehr im Sortiment
- RS Best.-Nr.:
- 864-8953
- Herst. Teile-Nr.:
- FJBE2150DTU
- Marke:
- ON Semiconductor
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Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
ESBC™-Leistungstransistor, Fairchild Semiconductor
Bipolare NPN-Leistungstransistoren, die für den Einsatz in ESBC™-Konfigurationen (Emittergeschaltete bipolare/MOSFET-Kaskode) zusammen mit geeigneten Leistungs-MOSFET-Geräten entwickelt wurden. Diese Netzschalterkonfiguration bietet erhöhte Effizienz, Flexibilität und Widerstandsfähigkeit und der Antrieb wird aufgrund des Fehlens der Miller-Kapazität im Design minimiert.
Bipolare Transistoren, Fairchild Semiconductor
Eine breite Palette an bipolaren Junction-Transistoren (BJT) bietet komplette Lösungen für verschiedene Stromkreisanwendungsanforderungen. Innovative Gehäuse bieten minimale Größe, höchste Zuverlässigkeit und maximale Wärmeleistung.
Technische Daten
Eigenschaft | Wert |
|---|---|
| Transistor-Typ | NPN |
| DC Kollektorstrom max. | 2 A |
| Gehäusegröße | D2PAK (TO-263) |
| Montage-Typ | SMD |
| Verlustleistung max. | 110 W |
| Gleichstromverstärkung min. | 20 |
| Pinanzahl | 3 |
| Abmessungen | 10.67 x 9.85 x 4.83mm |
| Betriebstemperatur min. | -55 °C |
| Betriebstemperatur max. | +125 °C |