onsemi IGBT / 150 A ±20V max., 600 V 750 W, 3-Pin TO-247 N-Kanal
- RS Best.-Nr.:
- 124-1337
- Herst. Teile-Nr.:
- FGY75N60SMD
- Marke:
- onsemi
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Produktdetails
Diskrete IGBTs, Fairchild Semiconductor
IGBT diskret und Module, Fairchild Semiconductor
Der Insulated-Gate Bipolar Transistor oder IGBT ist ein Leistungshalbleitergerät mit drei Anschlussklemmen, das für seine hohe Effizienz und schnelle Schaltvorgänge bekannt ist. Der IGBT verbindet die einfache Charakteristik der Gate-Ansteuerung mit der hohen Strom- und niedrigen Sättigungsspannungsfestigkeit von bipolaren Transistoren durch die Kombination eines FET mit isoliertem Gate für den Steuereingang mit einem bipolaren Leistungstransistor als Schalter in einem einzigen Gerät.
Technische Daten
Eigenschaft | Wert |
|---|---|
| Dauer-Kollektorstrom max. | 150 A |
| Kollektor-Emitter-Spannung | 600 V |
| Gate-Source Spannung max. | ±20V |
| Verlustleistung max. | 750 W |
| Gehäusegröße | TO-247 |
| Montage-Typ | THT |
| Channel-Typ | N |
| Pinanzahl | 3 |
| Transistor-Konfiguration | Einfach |
| Abmessungen | 15.87 x 4.82 x 20.32mm |
| Betriebstemperatur max. | +175 °C |
| Betriebstemperatur min. | –55 °C |
- RS Best.-Nr.:
- 124-1337
- Herst. Teile-Nr.:
- FGY75N60SMD
- Marke:
- onsemi