Toshiba TK TK39J60W,S1VQ(O N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 39 A 270 W, 3-Pin TO-3PN
- RS Best.-Nr.:
- 827-6211
- Herst. Teile-Nr.:
- TK39J60W,S1VQ(O
- Marke:
- Toshiba
Nicht mehr im Sortiment
- RS Best.-Nr.:
- 827-6211
- Herst. Teile-Nr.:
- TK39J60W,S1VQ(O
- Marke:
- Toshiba
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
- Ursprungsland:
- JP
Produktdetails
MOSFET N-Kanal, Serie TK3x, Toshiba
MOSFET-Transistoren, Toshiba
Technische Daten
Eigenschaft | Wert |
|---|---|
| Channel-Typ | N |
| Dauer-Drainstrom max. | 39 A |
| Drain-Source-Spannung max. | 600 V |
| Gehäusegröße | TO-3PN |
| Montage-Typ | THT |
| Pinanzahl | 3 |
| Drain-Source-Widerstand max. | 65 mΩ |
| Channel-Modus | Enhancement |
| Gate-Schwellenspannung max. | 3.7V |
| Verlustleistung max. | 270 W |
| Transistor-Konfiguration | Einfach |
| Gate-Source Spannung max. | -30 V, +30 V |
| Gate-Ladung typ. @ Vgs | 110 nC @ 10 V |
| Länge | 15.5mm |
| Betriebstemperatur max. | +150 °C |
| Transistor-Werkstoff | Si |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 |
| Breite | 4.5mm |
| Serie | TK |
| Höhe | 20mm |
- RS Best.-Nr.:
- 827-6211
- Herst. Teile-Nr.:
- TK39J60W,S1VQ(O
- Marke:
- Toshiba