7MBP50RA-120-55 N-Kanal IGBT-Modul, 1200 V / 50 A, P 610 22-Pin
- RS Best.-Nr.:
- 716-5618
- Herst. Teile-Nr.:
- 7MBP50RA-120-55
- Marke:
- Fuji Electric
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- RS Best.-Nr.:
- 716-5618
- Herst. Teile-Nr.:
- 7MBP50RA-120-55
- Marke:
- Fuji Electric
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Produktdetails
IGBT, diskret, Fuji Electric
IGBT, diskrete Bauteile und Module, Fuji Electric
Der Insulated-Gate Bipolar Transistor oder IGBT ist ein Leistungshalbleitergerät mit drei Anschlussklemmen, das für seine hohe Effizienz und schnelle Schaltvorgänge bekannt ist. Der IGBT verbindet die einfache Charakteristik der Gate-Ansteuerung mit der hohen Strom- und niedrigen Sättigungsspannungsfestigkeit von bipolaren Transistoren durch die Kombination eines FET mit isoliertem Gate für den Steuereingang mit einem bipolaren Leistungstransistor als Schalter in einem einzigen Gerät.
Technische Daten
Eigenschaft | Wert |
|---|---|
| Dauer-Kollektorstrom max. | 50 A |
| Kollektor-Emitter- | 1200 V |
| Verlustleistung max. | 357 W |
| Konfiguration | 3-phasig |
| Gehäusegröße | P 610 |
| Montage-Typ | Leiterplattenmontage |
| Channel-Typ | N |
| Pinanzahl | 22 |
| Transistor-Konfiguration | 3-phasig |
| Abmessungen | 109 x 88 x 22mm |
| Betriebstemperatur min. | -20 °C |
| Betriebstemperatur max. | +100° C |
- RS Best.-Nr.:
- 716-5618
- Herst. Teile-Nr.:
- 7MBP50RA-120-55
- Marke:
- Fuji Electric