Fairchild Semiconductor

Diskrete Bauteile

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Beschreibung
Produkt-Details
  • 0,336 €
    Stück (In einer VPE à 5)
TVS-Diode Bi-Directional P6KE10CA, 14.5V 600W, DO-15 2-Pin
  • Direction TypBi-Directional
  • DiodenkonfigurationEinfach
  • Klemmenspannung max.14.5V
  • Durchschlagspannung min.9.5V
  • Montage-TypDurchsteckmontage
Vergleichbare Produkte in "Suppressordioden TVS"
  • 0,242 €
    Stück (In einer VPE à 10)
RURD4120S9A_F085 Diode, 1200V / 4A 90ns, DPAK (TO-252) 3-Pin
  • Montage-TypSMD
  • GehäusegrößeDPAK (TO-252)
  • Dauer-Durchlassstrom max.4A
  • Spitzen-Sperrspannung periodisch1200V
  • DiodenkonfigurationEinfach
Vergleichbare Produkte in "Gleichrichterdioden und Schottky Dioden"
  • 0,378 €
    Stück (In einer VPE à 5)
TVS-Diode Bi-Directional P6KE22CA, 30.6V 600W, DO-15 2-Pin
  • Direction TypBi-Directional
  • DiodenkonfigurationEinfach
  • Klemmenspannung max.30.6V
  • Durchschlagspannung min.20.9V
  • Montage-TypDurchsteckmontage
Vergleichbare Produkte in "Suppressordioden TVS"
  • 0,105 €
    Stück (In einer VPE à 25)
PowerTrench FDC5661N_F085 N-Kanal MOSFET, 60 V / 4 A, 1,6 W, SOT-23 6-Pin
  • Channel-TypN
  • Dauer-Drainstrom max.4 A
  • Drain-Source-Spannung max.60 V
  • GehäusegrößeSOT-23
  • Montage-TypSMD
Vergleichbare Produkte in "MOSFET"
  • 0,263 €
    Stück (In einer VPE à 50)
NPN Darlington-Transistor MPSA29 100 V 800 mA HFE:10000, TO-92 3-Pin Einfach
  • Transistor-TypNPN
  • Dauer-Kollektorstrom max.800 mA
  • Kollektor-Emitter-100 V
  • Basis-Emitter Spannung max.12 V
  • GehäusegrößeTO-92
Vergleichbare Produkte in "Darlington Transistoren"
  • 0,648 €
    Stück (In einer VPE à 5)
QFET FQD10N20CTM N-Kanal MOSFET Transistor, 200 V / 7,8 A, 50 W, DPAK 3-Pin
  • Channel-TypN
  • Dauer-Drainstrom max.7,8 A
  • Drain-Source-Spannung max.200 V
  • GehäusegrößeDPAK
  • Montage-TypSMD
Vergleichbare Produkte in "MOSFET"
  • 0,701 €
    Stück (In einer VPE à 10)
Differenzial-ADC-Treiber FIN1001M5X, SOT-23 5-Pin
  • Montage-TypSMD
  • GehäusegrößeSOT-23
  • Pinanzahl5
  • Betriebstemperatur max.+150 °C
  • Höhe1.25mm
Vergleichbare Produkte in "Bipolare Transistoren"
  • 2,486 €
    Stück (In einer Stange von 50)
PowerTrench FDP038AN06A0 N-Kanal MOSFET, 60 V / 17 A, 310 W, TO-220AB 3-Pin
  • Channel-TypN
  • Dauer-Drainstrom max.17 A
  • Drain-Source-Spannung max.60 V
  • GehäusegrößeTO-220AB
  • Montage-TypDurchsteckmontage
Vergleichbare Produkte in "MOSFET"
  • 1,126 €
    Stück (In einer VPE à 5)
UniFET FDP52N20 N-Kanal MOSFET, 200 V / 52 A, 357 W, TO-220AB 3-Pin
  • Channel-TypN
  • Dauer-Drainstrom max.52 A
  • Drain-Source-Spannung max.200 V
  • GehäusegrößeTO-220AB
  • Montage-TypDurchsteckmontage
Vergleichbare Produkte in "MOSFET"
  • 0,658 €
    Stück (In einer VPE à 10)
PowerTrench FDD4243_F085 P-Kanal MOSFET, 40 V / 14 A, 50 W, DPAK (TO-252) 3-Pin
  • Channel-TypP
  • Dauer-Drainstrom max.14 A
  • Drain-Source-Spannung max.40 V
  • GehäusegrößeDPAK (TO-252)
  • Montage-TypSMD
Vergleichbare Produkte in "MOSFET"
  • 1,41 €Stück
PowerTrench FDP038AN06A0 N-Kanal MOSFET, 60 V / 17 A, 310 W, TO-220AB 3-Pin
  • Channel-TypN
  • Dauer-Drainstrom max.17 A
  • Drain-Source-Spannung max.60 V
  • GehäusegrößeTO-220AB
  • Montage-TypDurchsteckmontage
Vergleichbare Produkte in "MOSFET"
  • 2,36 €
    Stück (In einer VPE à 2)
UltraFET HUF75639G3 N-Kanal MOSFET, 100 V / 56 A, 200 W, TO-247 3-Pin
  • Channel-TypN
  • Dauer-Drainstrom max.56 A
  • Drain-Source-Spannung max.100 V
  • GehäusegrößeTO-247
  • Montage-TypDurchsteckmontage
Vergleichbare Produkte in "MOSFET"
  • 8,26 €Stück
N-Kanal IGBT HGTG40N60A4, 600 V 75 A, TO-247 3-Pin Einfach
  • Dauer-Kollektorstrom max.75 A
  • Kollektor-Emitter-600 V
  • Gate-Source Spannung max.±20V
  • GehäusegrößeTO-247
  • Montage-TypDurchsteckmontage
Vergleichbare Produkte in "IGBT"
  • 7,859 €
    Stück (In einer Stange von 30)
N-Kanal IGBT HGTG40N60B3, 600 V 70 A, TO-247 3-Pin Einfach
  • Dauer-Kollektorstrom max.70 A
  • Kollektor-Emitter-600 V
  • Gate-Source Spannung max.±20V
  • GehäusegrößeTO-247
  • Montage-TypDurchsteckmontage
Vergleichbare Produkte in "IGBT"
  • 0,078 €
    Stück (Auf einer Rolle von 3000)
Transistor BC847BS NPN 45 V 100 mA, HFE:200 Dual, SOT-363 (SC-70) 6-Pin Isoliert
  • Transistor-TypNPN
  • DC Kollektorstrom max.100 mA
  • Kollektor-Emitter-45 V
  • GehäusegrößeSOT-363 (SC-70)
  • Montage-TypSMD
Vergleichbare Produkte in "Bipolare Transistoren"
  • 0,474 €
    Stück (In einer VPE à 25)
PowerTrench FDC642P_F085 P-Kanal MOSFET, 20 V / 4 A, 1,2 W, SOT-23 6-Pin
  • Channel-TypP
  • Dauer-Drainstrom max.4 A
  • Drain-Source-Spannung max.20 V
  • GehäusegrößeSOT-23
  • Montage-TypSMD
Vergleichbare Produkte in "MOSFET"
  • 1,446 €
    Stück (In einer VPE à 5)
SuperFET FCP7N60 N-Kanal MOSFET, 600 V / 7 A, 83 W, TO-220AB 3-Pin
  • Channel-TypN
  • Dauer-Drainstrom max.7 A
  • Drain-Source-Spannung max.600 V
  • GehäusegrößeTO-220AB
  • Montage-TypDurchsteckmontage
Vergleichbare Produkte in "MOSFET"
  • 0,108 €
    Stück (Auf einer Rolle von 4000)
Transistor PZT2222A NPN 40 V 1 A 100 MHz, HFE:100, SOT-223 3 + Tab-Pin Einfach
  • Transistor-TypNPN
  • DC Kollektorstrom max.1 A
  • Kollektor-Emitter-40 V
  • GehäusegrößeSOT-223
  • Montage-TypSMD
Vergleichbare Produkte in "Bipolare Transistoren"
  • 0,054 €
    Stück (In einer VPE à 100)
Fairchild Semiconductor Zenerdiode 16V / 350 mW, SOT-23 3-Pin
  • DiodenkonfigurationEinfach
  • Zenerspannung nom.16V
  • Anzahl der Elemente pro Chip1
  • Montage-TypSMD
  • Verlustleistung max.350 mW
Vergleichbare Produkte in "Zener Dioden"
  • 2,62 €
    Stück (In einer VPE à 2)
QFET FQH8N100C N-Kanal MOSFET, 1000 V / 8 A, 225 W, TO-247 3-Pin
  • Channel-TypN
  • Dauer-Drainstrom max.8 A
  • Drain-Source-Spannung max.1000 V
  • GehäusegrößeTO-247
  • Montage-TypDurchsteckmontage
Vergleichbare Produkte in "MOSFET"
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