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Diskrete Bauteile

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Beschreibung
Produkt-Details
  • 0,992 €
    Stück (In einer Stange von 50)
HEXFET IRLIZ44NPBF N-Kanal MOSFET, 55 V / 30 A, 45 W, TO-220FP 3-Pin
  • Channel-TypN
  • Dauer-Drainstrom max.30 A
  • Drain-Source-Spannung max.55 V
  • Drain-Source-Widerstand max.22 mΩ
  • Gate-Schwellenspannung max.2V
Vergleichbare Produkte in "MOSFET"
  • 1,24 €Stück
HEXFET IRLIZ44NPBF N-Kanal MOSFET, 55 V / 30 A, 45 W, TO-220 3-Pin
  • Channel-TypN
  • Dauer-Drainstrom max.30 A
  • Drain-Source-Spannung max.55 V
  • Drain-Source-Widerstand max.22 mΩ
  • Gate-Schwellenspannung max.2V
Vergleichbare Produkte in "MOSFET"
  • 0,086 €
    Stück (In einer VPE à 250)
SIPMOS BSS84PH6327XTSA2 P-Kanal MOSFET, 60 V / 170 mA, 360 mW, SOT-23 3-Pin
  • Channel-TypP
  • Dauer-Drainstrom max.170 mA
  • Drain-Source-Spannung max.60 V
  • Drain-Source-Widerstand max.12 Ω
  • Gate-Schwellenspannung max.2V
Vergleichbare Produkte in "MOSFET"
  • 0,722 €
    Stück (In einer Stange von 75)
HEXFET IRLR2905PBF N-Kanal MOSFET, 55 V / 42 A, 110 W, DPAK (TO-252) 3-Pin
  • Channel-TypN
  • Dauer-Drainstrom max.42 A
  • Drain-Source-Spannung max.55 V
  • Drain-Source-Widerstand max.27 mΩ
  • Gate-Schwellenspannung max.2V
Vergleichbare Produkte in "MOSFET"
  • 0,442 €
    Stück (Auf einer Rolle von 2000)
HEXFET IRLR2905TRPBF N-Kanal MOSFET, 55 V / 42 A, 110 W, DPAK (TO-252) 3-Pin
  • Channel-TypN
  • Dauer-Drainstrom max.42 A
  • Drain-Source-Spannung max.55 V
  • Drain-Source-Widerstand max.40 mΩ
  • Gate-Schwellenspannung max.2V
Vergleichbare Produkte in "MOSFET"
  • 0,91 €Stück
HEXFET IRLR2905PBF N-Kanal MOSFET, 55 V / 42 A, 110 W, DPAK (TO-252) 3-Pin
  • Channel-TypN
  • Dauer-Drainstrom max.42 A
  • Drain-Source-Spannung max.55 V
  • Drain-Source-Widerstand max.27 mΩ
  • Gate-Schwellenspannung max.2V
Vergleichbare Produkte in "MOSFET"
  • 0,83 €
    Stück (In einer VPE à 20)
HEXFET IRLR2905TRPBF N-Kanal MOSFET, 55 V / 42 A, 110 W, DPAK (TO-252) 3-Pin
  • Channel-TypN
  • Dauer-Drainstrom max.42 A
  • Drain-Source-Spannung max.55 V
  • Drain-Source-Widerstand max.40 mΩ
  • Gate-Schwellenspannung max.2V
Vergleichbare Produkte in "MOSFET"
  • 0,086 €
    Stück (Auf einer Rolle von 3000)
HEXFET IRLML6402TRPBF P-Kanal MOSFET, 20 V / 3,7 A, 1,3 W, SOT-23 3-Pin
  • Channel-TypP
  • Dauer-Drainstrom max.3,7 A
  • Drain-Source-Spannung max.20 V
  • Drain-Source-Widerstand max.65 mΩ
  • Gate-Schwellenspannung max.1.2V
Vergleichbare Produkte in "MOSFET"
  • 0,342 €
    Stück (In einer VPE à 5)
HEXFET IRLML6402TRPBF P-Kanal MOSFET, 20 V / 3,7 A, 1,3 W, SOT-23 3-Pin
  • Channel-TypP
  • Dauer-Drainstrom max.3,7 A
  • Drain-Source-Spannung max.20 V
  • Drain-Source-Widerstand max.65 mΩ
  • Gate-Schwellenspannung max.1.2V
Vergleichbare Produkte in "MOSFET"
  • 0,809 €
    Stück (In einer Stange von 50)
HEXFET IRLZ34NPBF N-Kanal MOSFET, 55 V / 30 A, 68 W, TO-220AB 3-Pin
  • Channel-TypN
  • Dauer-Drainstrom max.30 A
  • Drain-Source-Spannung max.55 V
  • Drain-Source-Widerstand max.35 mΩ
  • Gate-Schwellenspannung max.2V
Vergleichbare Produkte in "MOSFET"
  • 2,29 €Stück
HEXFET IRLZ34NPBF N-Kanal MOSFET, 55 V / 30 A, 68 W, TO-220AB 3-Pin
  • Channel-TypN
  • Dauer-Drainstrom max.30 A
  • Drain-Source-Spannung max.55 V
  • Drain-Source-Widerstand max.35 mΩ
  • Gate-Schwellenspannung max.2V
Vergleichbare Produkte in "MOSFET"
  • 3,439 €
    Stück (In einer Stange von 30)
N-Kanal IGBT IHW40N60RFFKSA1, 600 V 80 A, TO-247 3-Pin Einfach
  • Dauer-Kollektorstrom max.80 A
  • Kollektor-Emitter-600 V
  • Gate-Source Spannung max.±20V
  • Verlustleistung max.305 W
  • GehäusegrößeTO-247
Vergleichbare Produkte in "IGBT"
  • 4,053 €
    Stück (In einer VPE à 4)
N-Kanal IGBT IHW40N60RFFKSA1, 600 V 80 A, TO-247 3-Pin Einfach
  • Dauer-Kollektorstrom max.80 A
  • Kollektor-Emitter-600 V
  • Gate-Source Spannung max.±20V
  • Verlustleistung max.305 W
  • GehäusegrößeTO-247
Vergleichbare Produkte in "IGBT"
  • 0,14 €
    Stück (In einer VPE à 50)
Transistor BC847CE6327HTSA1 NPN 45 V 100 mA 250 MHz, HFE:420, SOT-23 3-Pin Einfach
  • Transistor-TypNPN
  • DC Kollektorstrom max.100 mA
  • Kollektor-Emitter-45 V
  • GehäusegrößeSOT-23
  • Montage-TypSMD
Vergleichbare Produkte in "Bipolare Transistoren"
  • 0,016 €
    Stück (Auf einer Rolle von 3000)
Transistor BC857BE6327HTSA1 PNP 45 V 100 mA, HFE:220, SOT-23 3-Pin Einfach
  • Transistor-TypPNP
  • DC Kollektorstrom max.100 mA
  • Kollektor-Emitter-45 V
  • GehäusegrößeSOT-23
  • Montage-TypSMD
Vergleichbare Produkte in "Bipolare Transistoren"
  • 0,049 €
    Stück (In einer VPE à 50)
Transistor BC857BE6327HTSA1 PNP 45 V 100 mA 250 MHz, HFE:220, SOT-23 3-Pin Einfach
  • Transistor-TypPNP
  • DC Kollektorstrom max.100 mA
  • Kollektor-Emitter-45 V
  • GehäusegrößeSOT-23
  • Montage-TypSMD
Vergleichbare Produkte in "Bipolare Transistoren"
  • 2,68 €
    Stück (In einer VPE à 2)
OptiMOS 5 IPT007N06NATMA1 N-Kanal MOSFET, 60 V / 300 A, 375 W, HSOF 8-Pin
  • Channel-TypN
  • Dauer-Drainstrom max.300 A
  • Drain-Source-Spannung max.60 V
  • Drain-Source-Widerstand max.1 mΩ
  • Gate-Source Spannung max.-20 V, +20 V
Vergleichbare Produkte in "MOSFET"
  • 2,688 €
    Stück (Auf einer Rolle von 2000)
OptiMOS 5 IPT007N06NATMA1 N-Kanal MOSFET, 60 V / 300 A, 375 W, HSOF 8-Pin
  • Channel-TypN
  • Dauer-Drainstrom max.300 A
  • Drain-Source-Spannung max.60 V
  • Drain-Source-Widerstand max.1 mΩ
  • Gate-Source Spannung max.-20 V, +20 V
Vergleichbare Produkte in "MOSFET"
  • 0,075 €
    Stück (Auf einer Rolle von 3000)
Programmierbare Stromquelle BCR410WH6327XTSA1 SOT-343, 4-Pin, 2 x 1.25 x 0.8mm
  • DiodenkonfigurationEinfach
  • Anzahl der Elemente pro Chip1
  • Montage-TypSMD
  • GehäusegrößeSOT-343
  • Pinanzahl4
Vergleichbare Produkte in "Konstantstrom Dioden"
  • 0,485 €
    Stück (Auf einer Rolle von 1000)
SIPMOS BSP135H6327XTSA1 N-Kanal MOSFET, 600 V / 120 mA, 1,8 W, SOT-223 3 + Tab-Pin
  • Channel-TypN
  • Dauer-Drainstrom max.120 mA
  • Drain-Source-Spannung max.600 V
  • Drain-Source-Widerstand max.45 Ω
  • Gate-Source Spannung max.-20 V, +20 V
Vergleichbare Produkte in "MOSFET"
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