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Beschreibung
Produkt-Details
Infineon SIPMOS BSS84PH6327XTSA2 P-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 170 mA 360 mW, 3-Pin SOT-23
  • 0,051 €
    Stück (Auf einer Rolle von 3000)
Infineon SIPMOS BSS84PH6327XTSA2 P-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 170 mA 360 mW, 3-Pin SOT-23
  • Channel-TypP
  • Dauer-Drainstrom max.170 mA
  • Drain-Source-Spannung max.60 V
  • SerieSIPMOS
  • GehäusegrößeSOT-23
Vergleichbare Produkte in "MOSFET"
Infineon SIPMOS BSS84PH6327XTSA2 P-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 170 mA 360 mW, 3-Pin SOT-23
  • 0,035 €
    Stück (In einer VPE à 250)
  • Auch in Produktionsverpackung verfügbar
Infineon SIPMOS BSS84PH6327XTSA2 P-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 170 mA 360 mW, 3-Pin SOT-23
  • Channel-TypP
  • Dauer-Drainstrom max.170 mA
  • Drain-Source-Spannung max.60 V
  • GehäusegrößeSOT-23
  • SerieSIPMOS
Vergleichbare Produkte in "MOSFET"
Infineon HEXFET IRLR2905TRPBF N-Kanal, SMD MOSFET 55 V / 42 A 110 W, 3-Pin DPAK (TO-252)
  • 0,537 €
    Stück (Auf einer Rolle von 2000)
Infineon HEXFET IRLR2905TRPBF N-Kanal, SMD MOSFET 55 V / 42 A 110 W, 3-Pin DPAK (TO-252)
  • Channel-TypN
  • Dauer-Drainstrom max.42 A
  • Drain-Source-Spannung max.55 V
  • GehäusegrößeDPAK (TO-252)
  • SerieHEXFET
Vergleichbare Produkte in "MOSFET"
Infineon HEXFET IRLR2905TRPBF N-Kanal, SMD MOSFET 55 V / 42 A 110 W, 3-Pin DPAK (TO-252)
  • 1,067 €
    Stück (In einer VPE à 20)
  • Auch in Produktionsverpackung verfügbar
Infineon HEXFET IRLR2905TRPBF N-Kanal, SMD MOSFET 55 V / 42 A 110 W, 3-Pin DPAK (TO-252)
  • Channel-TypN
  • Dauer-Drainstrom max.42 A
  • Drain-Source-Spannung max.55 V
  • SerieHEXFET
  • GehäusegrößeDPAK (TO-252)
Vergleichbare Produkte in "MOSFET"
Infineon HEXFET IRLZ34NPBF N-Kanal, THT MOSFET 55 V / 30 A 68 W, 3-Pin TO-220AB
  • 1,037 €
    Stück (In einer Stange von 50)
Infineon HEXFET IRLZ34NPBF N-Kanal, THT MOSFET 55 V / 30 A 68 W, 3-Pin TO-220AB
  • Channel-TypN
  • Dauer-Drainstrom max.30 A
  • Drain-Source-Spannung max.55 V
  • GehäusegrößeTO-220AB
  • Montage-TypTHT
Vergleichbare Produkte in "MOSFET"
Infineon HEXFET IRLZ34NPBF N-Kanal, THT MOSFET 55 V / 30 A 68 W, 3-Pin TO-220AB
  • 1,25 €Stück
Infineon HEXFET IRLZ34NPBF N-Kanal, THT MOSFET 55 V / 30 A 68 W, 3-Pin TO-220AB
  • Channel-TypN
  • Dauer-Drainstrom max.30 A
  • Drain-Source-Spannung max.55 V
  • GehäusegrößeTO-220AB
  • Montage-TypTHT
Vergleichbare Produkte in "MOSFET"
Infineon BC857BE6327HTSA1 SMD, PNP Transistor –45 V / -100 mA, SOT-23 3-Pin
  • 0,051 €
    Stück (Auf einer Rolle von 3000)
Infineon BC857BE6327HTSA1 SMD, PNP Transistor –45 V / -100 mA, SOT-23 3-Pin
  • Transistor-TypPNP
  • DC Kollektorstrom max.-100 mA
  • Kollektor-Emitter-Spannung–45 V
  • GehäusegrößeSOT-23
  • Montage-TypSMD
Vergleichbare Produkte in "Bipolare Transistoren"
Infineon BC847CE6327HTSA1 SMD, NPN Transistor 45 V / 100 mA 250 MHz, SOT-23 3-Pin
  • 0,044 €
    Stück (In einer VPE à 50)
Infineon BC847CE6327HTSA1 SMD, NPN Transistor 45 V / 100 mA 250 MHz, SOT-23 3-Pin
  • Transistor-TypNPN
  • DC Kollektorstrom max.100 mA
  • Kollektor-Emitter-Spannung45 V
  • GehäusegrößeSOT-23
  • Montage-TypSMD
Vergleichbare Produkte in "Bipolare Transistoren"
Infineon BC857BE6327HTSA1 SMD, PNP Transistor –45 V / -100 mA 250 MHz, SOT-23 3-Pin
  • 0,225 €
    Stück (In einer VPE à 50)
Infineon BC857BE6327HTSA1 SMD, PNP Transistor –45 V / -100 mA 250 MHz, SOT-23 3-Pin
  • Transistor-TypPNP
  • DC Kollektorstrom max.-100 mA
  • Kollektor-Emitter-Spannung–45 V
  • GehäusegrößeSOT-23
  • Montage-TypSMD
Vergleichbare Produkte in "Bipolare Transistoren"
Infineon OptiMOS 5 IPT007N06NATMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 300 A 375 W, 8-Pin HSOF-8
  • 3,097 €
    Stück (Auf einer Rolle von 2000)
Infineon OptiMOS 5 IPT007N06NATMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 300 A 375 W, 8-Pin HSOF-8
  • Channel-TypN
  • Dauer-Drainstrom max.300 A
  • Drain-Source-Spannung max.60 V
  • GehäusegrößeHSOF-8
  • SerieOptiMOS 5
Vergleichbare Produkte in "MOSFET"
Infineon OptiMOS 5 IPT007N06NATMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 300 A 375 W, 8-Pin HSOF-8
  • 5,57 €
    Stück (In einer VPE à 2)
  • Auch in Produktionsverpackung verfügbar
Infineon OptiMOS 5 IPT007N06NATMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 300 A 375 W, 8-Pin HSOF-8
  • Channel-TypN
  • Dauer-Drainstrom max.300 A
  • Drain-Source-Spannung max.60 V
  • GehäusegrößeHSOF-8
  • SerieOptiMOS 5
Vergleichbare Produkte in "MOSFET"
Infineon SIPMOS BSP135H6327XTSA1 N-Kanal, SMD MOSFET 600 V / 120 mA 1,8 W, 3-Pin SOT-223
  • 0,545 €
    Stück (Auf einer Rolle von 1000)
Infineon SIPMOS BSP135H6327XTSA1 N-Kanal, SMD MOSFET 600 V / 120 mA 1,8 W, 3-Pin SOT-223
  • Channel-TypN
  • Dauer-Drainstrom max.120 mA
  • Drain-Source-Spannung max.600 V
  • SerieSIPMOS
  • GehäusegrößeSOT-223
Vergleichbare Produkte in "MOSFET"
Infineon SIPMOS BSP135H6327XTSA1 N-Kanal, SMD MOSFET 600 V / 120 mA 1,8 W, 3-Pin SOT-223
  • 1,36 €Stück
  • Auch in Produktionsverpackung verfügbar
Infineon SIPMOS BSP135H6327XTSA1 N-Kanal, SMD MOSFET 600 V / 120 mA 1,8 W, 3-Pin SOT-223
  • Channel-TypN
  • Dauer-Drainstrom max.120 mA
  • Drain-Source-Spannung max.600 V
  • SerieSIPMOS
  • GehäusegrößeSOT-223
Vergleichbare Produkte in "MOSFET"
Infineon CoolMOS C3 SPW47N60C3FKSA1 N-Kanal, THT MOSFET 650 V / 47 A 415 W, 3-Pin TO-247
  • 11,496 €
    Stück (In einer Stange von 30)
Infineon CoolMOS C3 SPW47N60C3FKSA1 N-Kanal, THT MOSFET 650 V / 47 A 415 W, 3-Pin TO-247
  • Channel-TypN
  • Dauer-Drainstrom max.47 A
  • Drain-Source-Spannung max.650 V
  • GehäusegrößeTO-247
  • Montage-TypTHT
Vergleichbare Produkte in "MOSFET"
Infineon CoolMOS C3 SPW47N60C3FKSA1 N-Kanal, THT MOSFET 650 V / 47 A 415 W, 3-Pin TO-247
  • 14,20 €Stück
  • Auch in Produktionsverpackung verfügbar
Infineon CoolMOS C3 SPW47N60C3FKSA1 N-Kanal, THT MOSFET 650 V / 47 A 415 W, 3-Pin TO-247
  • Channel-TypN
  • Dauer-Drainstrom max.47 A
  • Drain-Source-Spannung max.650 V
  • GehäusegrößeTO-247
  • Montage-TypTHT
Vergleichbare Produkte in "MOSFET"
Infineon HEXFET IRLML6244TRPBF N-Kanal, SMD MOSFET 20 V / 6,3 A 1,3 W, 3-Pin SOT-23
  • 0,104 €
    Stück (Auf einer Rolle von 3000)
Infineon HEXFET IRLML6244TRPBF N-Kanal, SMD MOSFET 20 V / 6,3 A 1,3 W, 3-Pin SOT-23
  • Channel-TypN
  • Dauer-Drainstrom max.6,3 A
  • Drain-Source-Spannung max.20 V
  • SerieHEXFET
  • GehäusegrößeSOT-23
Vergleichbare Produkte in "MOSFET"
Infineon OptiMOS 2N7002H6327XTSA2 N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 300 mA 500 mW, 3-Pin SOT-23
  • 0,082 €
    Stück (In einer VPE à 100)
  • Auch in Produktionsverpackung verfügbar
Infineon OptiMOS 2N7002H6327XTSA2 N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 300 mA 500 mW, 3-Pin SOT-23
  • Channel-TypN
  • Dauer-Drainstrom max.300 mA
  • Drain-Source-Spannung max.60 V
  • GehäusegrößeSOT-23
  • SerieOptiMOS
Vergleichbare Produkte in "MOSFET"
Infineon HEXFET IRLML6244TRPBF N-Kanal, SMD MOSFET 20 V / 6,3 A 1,3 W, 3-Pin SOT-23
  • 0,32 €
    Stück (In einer VPE à 20)
  • Auch in Produktionsverpackung verfügbar
Infineon HEXFET IRLML6244TRPBF N-Kanal, SMD MOSFET 20 V / 6,3 A 1,3 W, 3-Pin SOT-23
  • Channel-TypN
  • Dauer-Drainstrom max.6,3 A
  • Drain-Source-Spannung max.20 V
  • GehäusegrößeSOT-23
  • SerieHEXFET
Vergleichbare Produkte in "MOSFET"
Infineon OptiMOS 2N7002H6327XTSA2 N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 300 mA 500 mW, 3-Pin SOT-23
  • 0,046 €
    Stück (Auf einer Rolle von 3000)
Infineon OptiMOS 2N7002H6327XTSA2 N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 300 mA 500 mW, 3-Pin SOT-23
  • Channel-TypN
  • Dauer-Drainstrom max.300 mA
  • Drain-Source-Spannung max.60 V
  • GehäusegrößeSOT-23
  • SerieOptiMOS
Vergleichbare Produkte in "MOSFET"
Infineon BCR135E6327HTSA1 SMD, NPN Digitaler Transistor 50 V / 100 mA, SOT-23 3-Pin
  • 0,198 €
    Stück (In einer VPE à 10)
  • Auch in Produktionsverpackung verfügbar
Infineon BCR135E6327HTSA1 SMD, NPN Digitaler Transistor 50 V / 100 mA, SOT-23 3-Pin
  • Transistor-TypNPN
  • DC Kollektorstrom max.100 mA
  • Kollektor-Emitter-Spannung50 V
  • GehäusegrößeSOT-23
  • Montage-TypSMD
Vergleichbare Produkte in "Bipolare Transistoren"
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