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  • 1,14 €Stück
N-Kanal MOSFET IRLIZ44NPBF, 55 V 30 A, TO-220 3-Pin
  • Channel-TypN
  • Dauer-Drainstrom max.30 A
  • Drain-Source-Spannung max.55 V
  • Drain-Source-Widerstand max.22 mΩ
  • Gate-Schwellenspannung max.2V
Vergleichbare Produkte in "Transistoren MOSFET"
  • 0,116 €
    Stück (In einer VPE à 10)
P-Kanal MOSFET BSS84P, 60 V 170 mA, SOT-23 3-Pin
  • Channel-TypP
  • Dauer-Drainstrom max.170 mA
  • Drain-Source-Spannung max.60 V
  • Drain-Source-Widerstand max.8 Ω
  • Gate-Schwellenspannung max.2V
Vergleichbare Produkte in "Transistoren MOSFET"
  • 1,42 €Stück
N-Kanal MOSFET IRLR2905PBF, 55 V 42 A, DPAK (TO-252) 3-Pin
  • Channel-TypN
  • Dauer-Drainstrom max.42 A
  • Drain-Source-Spannung max.55 V
  • Drain-Source-Widerstand max.27 mΩ
  • Gate-Schwellenspannung max.2V
Vergleichbare Produkte in "Transistoren MOSFET"
  • 3,63 €Stück
N-Kanal MOSFET IRFS3004-7PPBF, 40 V 400 A, D2PAK (TO-263) 7-Pin
  • Channel-TypN
  • Dauer-Drainstrom max.400 A
  • Drain-Source-Spannung max.40 V
  • Drain-Source-Widerstand max.1 mΩ
  • Gate-Schwellenspannung max.4V
Vergleichbare Produkte in "Transistoren MOSFET"
  • 0,154 €
    Stück (In einer VPE à 5)
P-Kanal MOSFET IRLML6402TRPBF, 20 V 3,7 A, SOT-23 3-Pin
  • Channel-TypP
  • Dauer-Drainstrom max.3,7 A
  • Drain-Source-Spannung max.20 V
  • Drain-Source-Widerstand max.65 mΩ
  • Gate-Schwellenspannung max.1.2V
Vergleichbare Produkte in "Transistoren MOSFET"
  • 0,74 €Stück
N-Kanal MOSFET IRLZ34NPBF, 55 V 30 A, TO-220AB 3-Pin
  • Channel-TypN
  • Dauer-Drainstrom max.30 A
  • Drain-Source-Spannung max.55 V
  • Drain-Source-Widerstand max.35 mΩ
  • Gate-Schwellenspannung max.2V
Vergleichbare Produkte in "Transistoren MOSFET"
  • 3,37 €
    Stück (In einer VPE à 4)
N-Kanal IGBT IHW40N60RF, 600 V 80 A, TO-247 3-Pin
  • Dauer-Kollektorstrom max.80 A
  • Kollektor-Emitter-600 V
  • Gate-Source Spannung max.±20V
  • Verlustleistung max.305 W
  • GehäusegrößeTO-247
Vergleichbare Produkte in "Transistoren IGBT"
  • 0,037 €
    Stück (In einer VPE à 50)
Transistor BC857B PNP 45 V 100 mA 250 MHz, HFE:220, SOT-23 3-Pin
  • Transistor-TypPNP
  • DC Kollektorstrom max.100 mA
  • Kollektor-Emitter-45 V
  • GehäusegrößeSOT-23
  • Montage-TypSMD
Vergleichbare Produkte in "Transistoren bipolar"
  • 0,142 €
    Stück (In einer VPE à 50)
Transistor BC847C NPN 45 V 100 mA 250 MHz, HFE:420, SOT-23 3-Pin
  • Transistor-TypNPN
  • DC Kollektorstrom max.100 mA
  • Kollektor-Emitter-45 V
  • GehäusegrößeSOT-23
  • Montage-TypSMD
Vergleichbare Produkte in "Transistoren bipolar"
  • 2,875 €
    Stück (In einer VPE à 2)
N-Kanal MOSFET IPT007N06N, 60 V 300 A, HSOF 8-Pin
  • Channel-TypN
  • Dauer-Drainstrom max.300 A
  • Drain-Source-Spannung max.60 V
  • Drain-Source-Widerstand max.1 mΩ
  • Gate-Source Spannung max.-20 V, +20 V
Vergleichbare Produkte in "Transistoren MOSFET"
  • 0,77 €Stück
N-Kanal MOSFET BSP135, 600 V 120 mA, SOT-223 3+Tab-Pin
  • Channel-TypN
  • Dauer-Drainstrom max.120 mA
  • Drain-Source-Spannung max.600 V
  • Drain-Source-Widerstand max.60 Ω
  • Gate-Schwellenspannung max.1V
Vergleichbare Produkte in "Transistoren MOSFET"
  • 0,103 €
    Stück (In einer VPE à 100)
Programmierbare Stromquelle BCR410WH6327 SOT-343, 4-Pin, 2 x 1.25 x 0.8mm
  • DiodenkonfigurationEinfach
  • Anzahl der Elemente pro Chip1
  • Montage-TypSMD
  • GehäusegrößeSOT-343
  • Pinanzahl4
Vergleichbare Produkte in "Konstantstrom Dioden"
  • 9,80 €Stück
N-Kanal MOSFET SPW47N60C3, 650 V 47 A, TO-247 3-Pin
  • Channel-TypN
  • Dauer-Drainstrom max.47 A
  • Drain-Source-Spannung max.650 V
  • Drain-Source-Widerstand max.70 mΩ
  • Gate-Schwellenspannung max.3.9V
Vergleichbare Produkte in "Transistoren MOSFET"
  • 0,026 €
    Stück (In einer VPE à 100)
N-Kanal MOSFET 2N7002, 60 V 300 mA, SOT-23 3-Pin
  • Channel-TypN
  • Dauer-Drainstrom max.300 mA
  • Drain-Source-Spannung max.60 V
  • Drain-Source-Widerstand max.4 Ω
  • Gate-Schwellenspannung max.2.5V
Vergleichbare Produkte in "Transistoren MOSFET"
  • 0,154 €
    Stück (In einer VPE à 20)
N-Kanal MOSFET IRLML6244TRPBF, 20 V 6,3 A, SOT-23 3-Pin
  • Channel-TypN
  • Dauer-Drainstrom max.6,3 A
  • Drain-Source-Spannung max.20 V
  • Drain-Source-Widerstand max.27 mΩ
  • Gate-Schwellenspannung max.1.1V
Vergleichbare Produkte in "Transistoren MOSFET"
  • 0,081 €
    Stück (In einer VPE à 10)
NPN Digitaler Transistor BCR135 50 V 100 mA Eingangswiderstand 10 kΩ, Verhältnis 0,21, SOT-23 3-Pin
  • Transistor-TypNPN
  • Anzahl der Elemente pro Chip1
  • Dauer-Kollektorstrom max.100 mA
  • Kollektor-Emitter-50 V
  • Eingangswiderstand typ.10 kΩ
Vergleichbare Produkte in "Transistoren digital"
  • 0,23 €Stück
N-Kanal MOSFET BSS139 H6327, 250 V 100 mA, SOT-23 3-Pin
  • Channel-TypN
  • Dauer-Drainstrom max.100 mA
  • Drain-Source-Spannung max.250 V
  • Drain-Source-Widerstand max.14Ω
  • Gate-Schwellenspannung max.1V
Vergleichbare Produkte in "Transistoren MOSFET"
  • 1,56 €Stück
P-Kanal MOSFET IRF4905PBF, 55 V 74 A, TO-220AB 3-Pin
  • Channel-TypP
  • Dauer-Drainstrom max.74 A
  • Drain-Source-Spannung max.55 V
  • Drain-Source-Widerstand max.20 mΩ
  • Gate-Schwellenspannung max.4V
Vergleichbare Produkte in "Transistoren MOSFET"
  • 2,54 €
    Stück (In einer VPE à 2)
N-Kanal MOSFET IRLB3034PBF, 40 V 343 A, TO-220AB 3-Pin
  • Channel-TypN
  • Dauer-Drainstrom max.343 A
  • Drain-Source-Spannung max.40 V
  • Drain-Source-Widerstand max.2 mΩ
  • Gate-Schwellenspannung max.2.5V
Vergleichbare Produkte in "Transistoren MOSFET"
  • 0,78 €Stück
N-Kanal MOSFET IRF520NPBF, 100 V 9,7 A, TO-220AB 3-Pin
  • Channel-TypN
  • Dauer-Drainstrom max.9,7 A
  • Drain-Source-Spannung max.100 V
  • Drain-Source-Widerstand max.200 mΩ
  • Gate-Schwellenspannung max.4V
Vergleichbare Produkte in "Transistoren MOSFET"
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