JFET
"JFETs Ein JFET ist eine Einheit mit vier Anschlüssen. Sie heißen Gate, Drain, Quelle und Gehäuse. Die Gehäuseklemme ist immer mit der Quelle verbunden. Es gibt zwei Arten von JFETs: N-Kanal und P-KanalWas bedeutet JFET? JFET steht für Sperrschicht-Feldeffekttransistor (junction field-effect transistor)N-Kanal-JFET-KonstruktionDer Name N-Kanal bedeutet, dass die Elektronen die Hauptladungsträger sind. Zur Bildung des N-Kanals wird ein Halbleiter vom Typ N als Basis verwendet und an beiden Enden mit einem Halbleiter vom Typ P dotiert. Beide P-Bereiche sind elektrisch mit einem ohmschen Kontakt am Gate verbunden. Zwei weitere Klemmen sind an den gegenüberliegenden Enden für den Ablauf und die Quelle herausgeführt.P-Kanal-JFET-KonstruktionDer Name P-Kanal bedeutet, dass die Löcher die meisten Ladungsträger sind. Zur Bildung des P-Kanals wird ein Halbleiter vom Typ P als Basis verwendet und an beiden Enden mit einem Halbleiter vom Typ N dotiert. Beide N-Bereiche sind elektrisch mit einem ohmschen Kontakt am Gate verbunden. Zwei weitere Klemmen sind an den gegenüberliegenden Enden für den Ablauf und die Quelle herausgeführt.Merkmale und Vorteile Hohe Eingangsimpedanz Spannungsgesteuertes Gerät Hoher Isolationsgrad zwischen Eingang und Ausgang Weniger LärmUnter welchem Namen sind sie noch bekannt? JUGFETWofür werden JFET-Transistoren verwendet? JFET-Transistoren haben viele Anwendungen in der Elektronik und Kommunikation. Sie können sie als elektronisch gesteuerten Schalter zur Steuerung der elektrischen Energie für eine Last und als Verstärker verwenden.Was ist der Unterschied zwischen einem JFET und einem BJT (Bipolar Junction Transistor)? Der Hauptunterschied zwischen einem JFET und BJT besteht darin, dass ein Feldeffekttransistor nur Mehrheits-Ladungsträgerströme liefert, während der BJT (Bipolartransistor) sowohl Mehrheits- und Minderheits-Ladungsträgerflüsse bietet.Was ist Dotierung von Halbleitern? Dotieren ist der Prozess, bei dem Fremdverunreinigungen in intrinsische Halbleiter eingebracht werden, um deren elektrische Eigenschaften zu verändern. Dreiwertige Atome, die zum Dotieren von Silizium verwendet werden, bewirken, dass ein intrinsischer Halbleiter zu einem Halbleiter vom Typ P wird. Fünfwertig, das zum Dotieren von Silizium verwendet wird, bewirkt, dass ein intrinsischer Halbleiter zu einem N-Typ-Halbleiter wird."
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Filter
| Beschreibung | Preis | Channel-Typ | IDS Drain-Source-Abschaltstrom | Drain-Source-Spannung max. | Gate-Source Spannung max. | Drain-Gate-Spannung max. | Konfiguration | Transistor-Konfiguration | Drain-Source-Widerstand max. | Montage-Typ | Gehäusegröße | Pinanzahl | Drain Gate Kapazität | Source Gate Kapazität | Abmessungen | |
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RS Best.-Nr.
163-2337
Herst. Teile-Nr.MMBF4391LT1G
MarkeON Semiconductor
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0,077 €
Stück (Auf einer Rolle von 3000)
Stück
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N | 50 → 150mA | 30 V | +30 V | 30V | Single | Einfach | 30 Ω | SMD | SOT-23 | 3 | - | - | 2.9 x 1.3 x 0.94mm |
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RS Best.-Nr.
625-5723
Herst. Teile-Nr.MMBF4391LT1G
MarkeON Semiconductor
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0,358 €
Stück (In einer VPE à 5)
Stück
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N | 50 → 150mA | 30 V | +30 V | 30V | Single | Einfach | 30 Ω | SMD | SOT-23 | 3 | - | - | 2.9 x 1.3 x 0.94mm |
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RS Best.-Nr.
166-1840
Herst. Teile-Nr.MMBFJ201
MarkeON Semiconductor
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0,076 €
Stück (Auf einer Rolle von 3000)
Stück
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N | 0.3 → 1.5mA | - | –40 V | 40V | Single | Einfach | - | SMD | SOT-23 | 3 | - | - | 2.92 x 1.3 x 0.93mm |
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RS Best.-Nr.
791-9403
Herst. Teile-Nr.CPH6904-TL-E
MarkeON Semiconductor
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0,462 €
Stück (In einer VPE à 10)
Stück
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N | 20 → 40mA | 25 V | - | -25V | Dual | Gemeinsame Quelle | - | SMD | CPH | 6 | 6pF | 2.3pF | 2.9 x 1.6 x 0.9mm |
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RS Best.-Nr.
806-1753
Herst. Teile-Nr.J111
MarkeON Semiconductor
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0,23 €
Stück (In einer VPE à 50)
Stück
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N | min. 20mA | - | -35 V | 35V | Single | Einfach | 30 Ω | Durchsteckmontage | TO-92 | 3 | 28pF | 28pF | 5.2 x 4.19 x 5.33mm |
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RS Best.-Nr.
166-2910
Herst. Teile-Nr.J111
MarkeON Semiconductor
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0,063 €
Stück (In in einem Beutel mit 10000)
Stück
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N | min. 20mA | - | -35 V | 35V | Single | Einfach | 30 Ω | Durchsteckmontage | TO-92 | 3 | 28pF | 28pF | 5.2 x 4.19 x 5.33mm |
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RS Best.-Nr.
761-3688
Herst. Teile-Nr.MMBFJ201
MarkeON Semiconductor
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0,21 €
Stück (In einer VPE à 25)
Stück
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N | 0.3 → 1.5mA | - | -40 V | 40V | Single | Einfach | - | SMD | SOT-23 | 3 | - | - | 2.92 x 1.3 x 0.93mm |
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RS Best.-Nr.
162-9314
Herst. Teile-Nr.CPH6904-TL-E
MarkeON Semiconductor
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0,223 €
Stück (Auf einer Rolle von 3000)
Stück
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N | 20 → 40mA | 25 V | - | -25V | Dual | Gemeinsame Quelle | - | SMD | CPH | 6 | 6pF | 2.3pF | 2.9 x 1.6 x 0.9mm |
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RS Best.-Nr.
122-0136
Herst. Teile-Nr.MMBFJ310LT3G
MarkeON Semiconductor
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0,091 €
Stück (Auf einer Rolle von 10000)
Stück
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N | 24 → 60mA | 25 V | - | - | Single | Einfach | - | SMD | SOT-23 | 3 | - | 5pF | 3.04 x 1.4 x 1.01mm |
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RS Best.-Nr.
773-7813
Herst. Teile-Nr.MMBFJ310LT3G
MarkeON Semiconductor
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0,279 €
Stück (In einer VPE à 10)
Stück
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N | 24 → 60mA | 25 V | - | - | Single | Einfach | - | SMD | SOT-23 | 3 | - | 5pF | 3.04 x 1.4 x 1.01mm |
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RS Best.-Nr.
170-3357
Herst. Teile-Nr.MMBFJ310LT1G
MarkeON Semiconductor
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0,099 €
Stück (Auf einer Rolle von 3000)
Stück
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N | 24 → 60mA | 25 V | +25 V | - | Single | Einfach | - | SMD | SOT-23 | 3 | - | - | 2.9 x 1.3 x 0.94mm |
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RS Best.-Nr.
625-5745
Herst. Teile-Nr.MMBFJ310LT1G
MarkeON Semiconductor
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0,372 €
Stück (In einer VPE à 5)
Stück
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N | 24 → 60mA | 25 V | +25 V | - | Single | Einfach | - | SMD | SOT-23 | 3 | - | - | 2.9 x 1.3 x 0.94mm |
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RS Best.-Nr.
112-5510
Herst. Teile-Nr.PMBFJ177,215
MarkeNXP
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0,442 €
Stück (In einer VPE à 5)
Stück
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P | 1.5 → 20mA | 30 V | +30 V | 30V | Single | Einfach | 300 Ω | SMD | SOT-23 | 3 | - | - | 3 x 1.4 x 1mm |
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RS Best.-Nr.
103-8162
Herst. Teile-Nr.PMBFJ177,215
MarkeNXP
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0,112 €
Stück (Auf einer Rolle von 3000)
Stück
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P | 1.5 → 20mA | 30 V | +30 V | 30V | Single | Einfach | 300 Ω | SMD | SOT-23 (TO-236AB) | 3 | - | - | 3 x 1.4 x 1mm |
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RS Best.-Nr.
773-7816
Herst. Teile-Nr.MMBFJ177LT1G
MarkeON Semiconductor
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0,267 €
Stück (In einer VPE à 10)
Stück
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P | 1.5 → 20mA | - | - | 25V dc | Single | Einfach | 300 Ω | SMD | SOT-23 | 3 | - | 11pF | 3.04 x 1.4 x 1.01mm |
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RS Best.-Nr.
163-0963
Herst. Teile-Nr.MMBFJ177LT1G
MarkeON Semiconductor
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0,096 €
Stück (Auf einer Rolle von 3000)
Stück
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P | 1.5 → 20mA | - | - | 25V dc | Single | Einfach | 300 Ω | SMD | SOT-23 | 3 | - | 11pF | 3.04 x 1.4 x 1.01mm |
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RS Best.-Nr.
806-1766
Herst. Teile-Nr.J113
MarkeON Semiconductor
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0,239 €
Stück (In einer VPE à 50)
Stück
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N | min. 2mA | - | -35 V | 35V | Single | Einfach | 100 Ω | Durchsteckmontage | TO-92 | 3 | 28pF | 28pF | 5.2 x 4.19 x 5.33mm |
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RS Best.-Nr.
112-4185
Herst. Teile-Nr.PMBF4393,215
MarkeNXP
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0,31 €
Stück
Stück
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N | 50 → 150mA | 40 V | -40 V | 40V | Single | Einfach | 100 Ω | SMD | SOT-23 | 3 | - | - | 3 x 1.4 x 1mm |
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RS Best.-Nr.
807-5201
Herst. Teile-Nr.BSR58
MarkeON Semiconductor
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0,109 €
Stück (In einer VPE à 100)
Stück
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N | 8 → 80mA | 0,4 V | -40 V | 40V | Single | Einfach | - | SMD | SOT-23 | 3 | - | - | 2.9 x 1.3 x 0.97mm |
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RS Best.-Nr.
166-2319
Herst. Teile-Nr.BSR58
MarkeON Semiconductor
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0,063 €
Stück (Auf einer Rolle von 3000)
Stück
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N | 8 → 80mA | 0,4 V | –40 V | 40V | Single | Einfach | - | SMD | SOT-23 | 3 | - | - | 2.9 x 1.3 x 0.97mm |
