Bipolare Transistoren

Bipolare Transistoren sind dreipolige Halbleitergeräte aus drei Siliziumschichten. Bipolare Transistoren sind darauf ausgelegt, Strom zu verstärken, und sie können auch als Schalter fungieren. Es gibt zwei Haupttypen von Transistoren: PNP (positiv negativ positiv) oder NPN (negativ positiv-negativ). Mehr Informationen finden Sie hier

So wird ein bipolarer Transistor hergestellt

Bipolare Transistoren werden durch rückseitiges Verbinden zweier Signaldioden hergestellt, wodurch zwei in Reihe geschaltete PN-Verbindungen entstehen, die sich eine gemeinsame P- oder N-Klemme teilen. Naturgemäß ist Silizium in der Regel kein guter elektrischer Leiter. Wenn Silizium jedoch mit bestimmten Chemikalien oder Verunreinigungen behandelt wird, kann erreicht werden, dass sich das Material und die Elektronen anders verhalten. Dieser Prozess wird als Dotierung bezeichnet. Durch den Dotierungsvorgang wird die elektrische Leitfähigkeit der Halbleiter gesteigert.

Wie funktionieren bipolare Transistoren?

Bipolare Transistoren haben zwei mögliche Funktionen: Schaltung und Verstärkung. Aufgrund der drei Schichten aus dotiertem Halbleitermaterial kann die eigenständige Komponente bei Versorgung des Transistors mit einer Signalspannung als Isolator oder Leiter fungieren. Durch diese intelligente Änderung erhalten die Transistoren zwei grundlegende Funktionen: Umschaltung (digital) und Verstärkung (analog) von Elektronik.

Transistoren sind in Ausführungen mit Tafel-, Oberflächen- und Durchgangsmontage in Kunststoff- oder Metallgehäusen erhältlich. Alle verfügen über drei Klemmen oder Stifte, die Basis, den Kollektor und den Emitter.

Sie sind auch erhältlich als:

  • Digitale Transistoren: Bestehen aus einem Halbleitermaterial, meist Silizium, das den Strom (oder Energie) mit geringem Widerstand leitet. Außerdem verfügen sie über mindestens drei Anschlüsse für eine einfache Verbindung zu einem externen Schaltkreis.
  • UJT-Transistoren: Bestehen aus einem Stab aus leicht dotiertem N-Silikon mit einem kleinen Stück stark dotiertem P-Typ-Material, das an einer Seite befestigt ist. Da der Silikonstab leicht dotiert ist, hat er eine sehr hohe Beständigkeit.

Anwendungen von bipolaren Transistoren

Transistoren sind eine der am häufigsten verwendeten eigenständigen Komponenten in elektronischen Konstruktionen und Schaltkreisen. Sie werden zur Verstärkung von elektrischen Signalen aller Art in Stromkreisen verwendet, die aus einzelnen Komponenten statt aus ICs (integrierten Schaltungen) bestehen.


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Beschreibung Preis Transistor-Typ DC Kollektorstrom max. Kollektor-Emitter- Gehäusegröße Montage-Typ Verlustleistung max. Gleichstromverstärkung min. Transistor-Konfiguration Kollektor-Basis-Spannung max. Basis-Emitter Spannung max. Arbeitsfrequenz max. Pinanzahl Anzahl der Elemente pro Chip Abmessungen
RS Best.-Nr. 796-9672
Herst. Teile-Nr.BC337-40 A1
0,103 €
Stück (In einer VPE à 250)
Stück
NPN 800 mA 45 V TO-92 Durchsteckmontage 625 mW - Einfach 50 V 5 V - 3 1 5.1 x 4.1 x 4.7mm
RS Best.-Nr. 170-4150
Herst. Teile-Nr.BC337-40 A1
0,024 €
Stück (Auf einem Gurtabschnitt von 4000)
Stück
NPN 800 mA 45 V TO-92 Durchsteckmontage 625 mW - Einfach 50 V 5 V - 3 1 5.1 x 4.1 x 4.7mm
RS Best.-Nr. 168-6075
Herst. Teile-Nr.BD139
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Stück (In einer Stange von 50)
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NPN 3 A 80 V SOT-32 Durchsteckmontage 1,25 W - Einfach 80 V 5 V - 3 1 10.8 x 7.8 x 2.7mm
RS Best.-Nr. 314-1823
Herst. Teile-Nr.BD139
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Stück
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NPN 3 A 80 V SOT-32 Durchsteckmontage 1,25 W - Einfach 80 V 5 V - 3 1 10.8 x 7.8 x 2.7mm
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Herst. Teile-Nr.BC547B
Markeonsemi
0,064 €
Stück (In in einem Beutel mit 10000)
Stück
NPN 100 mA 45 V TO-92 Durchsteckmontage 500 mW - Einfach 50 V 6 V 1 MHz 3 1 4.58 x 3.86 x 4.58mm
RS Best.-Nr. 761-9828
Herst. Teile-Nr.BC547B
Markeonsemi
0,282 €
Stück (In einer VPE à 50)
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NPN 100 mA 45 V TO-92 Durchsteckmontage 500 mW - Einfach 50 V 6 V 300 MHz 3 1 4.58 x 3.86 x 4.58mm
RS Best.-Nr. 803-1083
Herst. Teile-Nr.BC547BBU
Markeonsemi
0,066 €
Stück (In einer VPE à 200)
Stück
NPN 100 mA 45 V TO-92 Durchsteckmontage 500 mW - Einfach 50 V 6 V 1 MHz 3 1 4.58 x 3.86 x 4.58mm
RS Best.-Nr. 170-4158
Herst. Teile-Nr.BC547C A1
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NPN 100 mA 45 V TO-92 Durchsteckmontage 500 mW - Einfach 50 V 6 V - 3 1 5.1 x 4.1 x 4.7mm
RS Best.-Nr. 796-9701
Herst. Teile-Nr.BC547C A1
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Stück (In einer VPE à 250)
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NPN 100 mA 45 V TO-92 Durchsteckmontage 500 mW - Einfach 50 V 6 V - 3 1 5.1 x 4.1 x 4.7mm
RS Best.-Nr. 170-4155
Herst. Teile-Nr.BC546B A1
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NPN 100 mA 65 V TO-92 Durchsteckmontage 500 mW - Einfach 80 V 6 V - 3 1 5.1 x 4.1 x 4.7mm
RS Best.-Nr. 796-9690
Herst. Teile-Nr.BC546B A1
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Stück (In einer VPE à 250)
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NPN 100 mA 65 V TO-92 Durchsteckmontage 500 mW - Einfach 80 V 6 V - 3 1 5.1 x 4.1 x 4.7mm
RS Best.-Nr. 103-2931
Herst. Teile-Nr.BC846BLT1G
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Stück (Auf einer Rolle von 3000)
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NPN 100 mA 65 V SOT-23 SMD 300 mW - Einfach 80 V 6 V 100 MHz 3 1 0.94 x 2.9 x 1.3mm
RS Best.-Nr. 170-3459
Herst. Teile-Nr.BC846BLT3G
Markeonsemi
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NPN 100 mA 65 V SOT-23 SMD 300 mW - Einfach 80 V 6 V 100 MHz 3 1 2.9 x 1.3 x 1.0mm
RS Best.-Nr. 544-9393
Herst. Teile-Nr.BC846BLT1G
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NPN 100 mA 65 V SOT-23 SMD 300 mW - Einfach 80 V 6 V 100 MHz 3 1 0.94 x 2.9 x 1.3mm
RS Best.-Nr. 773-7611
Herst. Teile-Nr.BC846BLT3G
Markeonsemi
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NPN 100 mA 65 V SOT-23 SMD 300 mW - Einfach 80 V 6 V 100 MHz 3 1 2.9 x 1.3 x 1.0mm
RS Best.-Nr. 803-1061
Herst. Teile-Nr.BC33725TFR
Markeonsemi
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NPN 800 mA 50 V TO-92 Durchsteckmontage 625 mW - Einfach 10 V 5 V 50 MHz 3 1 4.58 x 3.86 x 4.58mm
RS Best.-Nr. 124-1731
Herst. Teile-Nr.BC33725TA
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NPN 800 mA 45 V TO-92 Durchsteckmontage 625 mW - Einfach - 5 V 100 MHz 3 1 5.33 x 5.2 x 4.19mm
RS Best.-Nr. 671-1116
Herst. Teile-Nr.BC33725TA
Markeonsemi
0,249 €
Stück (In einer VPE à 10)
Stück
NPN 800 mA 45 V TO-92 Durchsteckmontage 625 mW - Einfach - 5 V 100 MHz 3 1 5.33 x 5.2 x 4.19mm
RS Best.-Nr. 169-8605
Herst. Teile-Nr.BC33725TFR
Markeonsemi
0,047 €
Stück (Auf einer Rolle von 2000)
Stück
NPN 800 mA 50 V TO-92 Durchsteckmontage 625 mW - Einfach 10 V 5 V 50 MHz 3 1 4.58 x 3.86 x 4.58mm
RS Best.-Nr. 803-1068
Herst. Teile-Nr.BC33725TAR
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0,089 €
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NPN 800 mA 50 V TO-92 Durchsteckmontage 625 mW - Einfach 10 V 5 V 50 MHz 3 1 4.58 x 3.86 x 4.58mm