JFET

Ein JFET ist eine Einheit mit vier Anschlüssen. Sie heißen Gate, Drain, Quelle und Gehäuse. Die Gehäuseklemme ist immer mit der Quelle verbunden. Es gibt zwei Arten von JFETs: N-Kanal und P-Kanal. JFET steht für Sperrschicht-Feldeffekttransistor (Junction Field-Effect Transistor). Sie können auch als JUGFET bezeichnet werden.

N-Kanal-JFET-Konstruktion

Der Name N-Kanal bedeutet, dass die Elektronen die Hauptladungsträger sind. Zur Bildung des N-Kanals wird ein Halbleiter vom Typ N als Basis verwendet und an beiden Enden mit einem Halbleiter vom Typ P dotiert. Beide P-Bereiche sind elektrisch mit einem ohmschen Kontakt am Gate verbunden. Zwei weitere Klemmen sind an den gegenüberliegenden Enden für den Ablauf und die Quelle herausgeführt.

P-Kanal-JFET-Konstruktion

Der Name P-Kanal bedeutet, dass die Löcher die meisten Ladungsträger sind. Zur Bildung des P-Kanals wird ein Halbleiter vom Typ P als Basis verwendet und an beiden Enden mit einem Halbleiter vom Typ N dotiert. Beide N-Bereiche sind elektrisch mit einem ohmschen Kontakt am Gate verbunden. Zwei weitere Klemmen sind an den gegenüberliegenden Enden für den Ablauf und die Quelle herausgeführt.

Eigenschaften und Vorteile

  • Hohe Eingangsimpedanz
  • Spannungsgesteuertes Gerät
  • Ein hoher Isolationsgrad zwischen Eingang und Ausgang
  • Weniger Lärm

Wofür werden JFET-Transistoren eingesetzt?

JFET-Transistoren haben viele Anwendungen in der Elektronik und Kommunikation. Sie können sie als elektronisch gesteuerten Schalter zur Steuerung der elektrischen Energie für eine Last und als Verstärker verwenden.

Was ist der Unterschied zwischen einem JFET und einem BJT (Bipolar Junction Transistor)?

Der Hauptunterschied zwischen einem JFET und BJT besteht darin, dass ein Feldeffekttransistor nur Mehrheits-Ladungsträgerströme liefert, während der BJT (Bipolartransistor) sowohl Mehrheits- und Minderheits-Ladungsträgerflüsse bietet.

Was ist die Dotierung von Halbleitern?

Dotierung ist der Prozess, bei dem Fremdverunreinigungen in intrinsische Halbleiter eingebracht werden, um deren elektrische Eigenschaften zu verändern. Dreiwertige Atome, die zum Dotieren von Silizium verwendet werden, bewirken, dass ein intrinsischer Halbleiter zu einem Halbleiter vom Typ P wird. Fünfwertige Atome, die zum Dotieren von Silizium verwendet werden, bewirken, dass ein intrinsischer Halbleiter zu einem N-Typ-Halbleiter wird.


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Beschreibung Preis Channel-Typ IDS Drain-Source-Abschaltstrom Drain-Source-Spannung max. Gate-Source Spannung max. Drain-Gate-Spannung max. Konfiguration Transistor-Konfiguration Drain-Source-Widerstand max. Montage-Typ Gehäusegröße Pinanzahl Drain Gate Kapazität Source Gate Kapazität Abmessungen
RS Best.-Nr. 625-5723
Herst. Teile-Nr.MMBF4391LT1G
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Stück (In einer VPE à 5)
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Herst. Teile-Nr.MMBF4391LT1G
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Stück (Auf einer Rolle von 3000)
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N 50 to 150mA 30 V +30 V 30V Single Einfach 30 Ω SMD SOT-23 3 - - 2.9 x 1.3 x 0.94mm
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N min. 20mA - -35 V 35V Single Einfach 30 Ω Durchsteckmontage TO-92 3 28pF 28pF 5.2 x 4.19 x 5.33mm
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N 0.3 to 1.5mA - -40 V 40V Single Einfach - SMD SOT-23 3 - - 2.92 x 1.3 x 0.93mm
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N 20 to 40mA 25 V - -25V Dual Gemeinsame Quelle - SMD CPH 6 6pF 2.3pF 2.9 x 1.6 x 0.9mm
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N min. 20mA - -35 V 35V Single Einfach 30 Ω Durchsteckmontage TO-92 3 28pF 28pF 5.2 x 4.19 x 5.33mm
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Herst. Teile-Nr.MMBFJ310LT1G
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N 24 to 60mA 25 V +25 V - Single Einfach - SMD SOT-23 3 - - 2.9 x 1.3 x 0.94mm
RS Best.-Nr. 773-7813
Herst. Teile-Nr.MMBFJ310LT3G
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N 24 to 60mA 25 V - - Single Einfach - SMD SOT-23 3 - 5pF 3.04 x 1.4 x 1.01mm
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P 1.5 to 20mA 30 V +30 V 30V Single Einfach 300 Ω SMD SOT-23 3 - - 3 x 1.4 x 1mm
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P 1.5 to 20mA 30 V +30 V 30V Single Einfach 300 Ω SMD SOT-23 (TO-236AB) 3 - - 3 x 1.4 x 1mm
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P 1.5 to 20mA - - 25V dc Single Einfach 300 Ω SMD SOT-23 3 - 11pF 3.04 x 1.4 x 1.01mm
RS Best.-Nr. 163-0963
Herst. Teile-Nr.MMBFJ177LT1G
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P 1.5 to 20mA - - 25V dc Single Einfach 300 Ω SMD SOT-23 3 - 11pF 3.04 x 1.4 x 1.01mm
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