onsemi NPN Darlington-Transistor 120 V 30 A HFE:200, TO-204 3-Pin Einfach
- RS Best.-Nr.:
- 463-000
- Herst. Teile-Nr.:
- MJ11016G
- Marke:
- onsemi
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Produktdetails
NPN-Darlington-Transistoren, ON Semiconductor
Normen
Hersteller-Teilenummern mit S oder NSV als Präfix sind gemäß der Norm AEC-Q101 für die Automobilindustrie zugelassen.
Der on Semiconductor MJ11016G ist ein bipolarer Leistungstransistor mit 30 A, 120 V NPN Darlington. Er wurde für den Einsatz als Ausgabegerät für allgemeine Verstärkeranwendungen entwickelt.
Das MJ11016G wird in einem bleifreien TO-204AA (TO-3)-durchkontaktierten Gehäuse geliefert.
• Hohe Gleichstromverstärkung
• Monolithische Bauweise
• Integrierter Basis-Emitter-Shunt-Widerstand
• Abzweigtemperatur: Bis +200 °C.
• NPN-Polarität
Das MJ11016G wird in einem bleifreien TO-204AA (TO-3)-durchkontaktierten Gehäuse geliefert.
• Hohe Gleichstromverstärkung
• Monolithische Bauweise
• Integrierter Basis-Emitter-Shunt-Widerstand
• Abzweigtemperatur: Bis +200 °C.
• NPN-Polarität
Technische Daten
Eigenschaft | Wert |
|---|---|
| Transistor-Typ | NPN |
| Dauer-Kollektorstrom max. | 30 A |
| Kollektor-Emitter-Spannung | 120 V |
| Basis-Emitter Spannung max. | 5 V |
| Gehäusegröße | TO-204 |
| Montage-Typ | THT |
| Pinanzahl | 3 |
| Transistor-Konfiguration | Einfach |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 |
| Gleichstromverstärkung min. | 200 |
| Basis-Emitter-Sättigungsspannung max. | 5 V |
| Kollektor-Basis-Spannung max. | 120 V |
| Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung max. | 4 V |
| Abmessungen | 39.37 x 26.67 x 8.51mm |
| Höhe | 8.51mm |
| Breite | 26.67mm |
| Länge | 39.37mm |
| Betriebstemperatur max. | +200°C |
| Betriebstemperatur min. | -55 °C |
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