- RS Best.-Nr.:
- 103-5146
- Herst. Teile-Nr.:
- TIP120G
- Marke:
- onsemi
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- 103-5146
- Herst. Teile-Nr.:
- TIP120G
- Marke:
- onsemi
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Rechtliche Anforderungen
- Ursprungsland:
- CN
Produktdetails
NPN-Darlington-Transistoren, ON Semiconductor
Normen
Hersteller-Teilenummern mit S oder NSV als Präfix sind gemäß der Norm AEC-Q101 für die Automobilindustrie zugelassen.
Der on Semiconductor TIP120G ist ein bipolarer NPN Darlington-Leistungstransistor mit mittlerer Leistung. Er wurde für den Einsatz als Ausgabegerät für allgemeine Verstärker- und Niederspannungs-Schaltanwendungen entwickelt.
Der TIP120G wird in einem durchkontaktierten TO-220AB-Kunststoffgehäuse geliefert.
Hohe Gleichstromverstärkung
Niedrige Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung
Monolithische Bauweise
Integrierter Basis-Emitter-Shunt-Widerstand
Kompaktes Gehäuse
NPN-Polarität
Der TIP120G wird in einem durchkontaktierten TO-220AB-Kunststoffgehäuse geliefert.
Hohe Gleichstromverstärkung
Niedrige Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung
Monolithische Bauweise
Integrierter Basis-Emitter-Shunt-Widerstand
Kompaktes Gehäuse
NPN-Polarität
Technische Daten
Eigenschaft | Wert |
---|---|
Transistor-Typ | NPN |
Dauer-Kollektorstrom max. | 8 A |
Kollektor-Emitter-Spannung | 60 V |
Basis-Emitter Spannung max. | 5 V |
Gehäusegröße | TO-220 |
Montage-Typ | THT |
Pinanzahl | 3 |
Transistor-Konfiguration | Einfach |
Anzahl der Elemente pro Chip | 1 |
Gleichstromverstärkung min. | 1000 |
Kollektor-Basis-Spannung max. | 60 V |
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung max. | 4 V |
Kollektor-Abschaltstrom max. | 0.5mA |
Betriebstemperatur min. | –65 °C |
Verlustleistung max. | 65 W |
Länge | 15.75mm |
Betriebstemperatur max. | +150 °C |
Abmessungen | 15.75 x 10.28 x 4.82mm |
Höhe | 4.82mm |
Breite | 10.28mm |
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