Toshiba PNP Darlington-Transistor 100 V 7 A HFE:1000, TO-220SIS 3-Pin
- RS Best.-Nr.:
- 144-5248
- Herst. Teile-Nr.:
- TTD1415B,S4X(S
- Marke:
- Toshiba
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- Toshiba
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Rechtliche Anforderungen
- Ursprungsland:
- JP
Produktdetails
NPN-Darlington-Transistoren, Toshiba
Bipolare Transistoren, Toshiba
Technische Daten
Eigenschaft | Wert |
|---|---|
| Transistor-Typ | PNP |
| Dauer-Kollektorstrom max. | 7 A |
| Kollektor-Emitter-Spannung | 100 V |
| Basis-Emitter Spannung max. | 6 V |
| Gehäusegröße | TO-220SIS |
| Montage-Typ | THT |
| Pinanzahl | 3 |
| Konfiguration | Single |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 2 |
| Gleichstromverstärkung min. | 1000 |
| Basis-Emitter-Sättigungsspannung max. | 2 V |
| Kollektor-Basis-Spannung max. | 120 V |
| Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung max. | 2 V |
| Kollektor-Abschaltstrom max. | 2µA |
| Höhe | 15mm |
| Breite | 4.5mm |
| Abmessungen | 10 x 4.5 x 15mm |
| Betriebstemperatur max. | +150 °C |
| Länge | 100mm |
| Verlustleistung max. | 25 W bei 25 °C |
| Basisstrom | 0.7A |
- RS Best.-Nr.:
- 144-5248
- Herst. Teile-Nr.:
- TTD1415B,S4X(S
- Marke:
- Toshiba
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