STMicroelectronics NPN Darlington-Transistor 1200 V 100 mA HFE:230 @ 20 mA @ 10 V, TO-220 3-Pin Einfach
- RS Best.-Nr.:
- 168-8883
- Herst. Teile-Nr.:
- STP03D200
- Marke:
- STMicroelectronics
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- Ursprungsland:
- CN
Produktdetails
NPN-Darlington-Transistoren, STMicroelectronics
Bipolare Transistoren, STMicroelectronics
Eine breite Palette an bipolaren NPN- und PNP-Transistoren von STMicroelectronics, einschließlich Universal-, Darlington-, Leistungs- und Hochspannungs-Bauelementen in SMD- und durchkontaktierten Gehäusen.
Technische Daten
Eigenschaft | Wert |
---|---|
Transistor-Typ | NPN |
Dauer-Kollektorstrom max. | 100 mA |
Kollektor-Emitter-Spannung | 1200 V |
Basis-Emitter Spannung max. | 20 V |
Gehäusegröße | TO-220 |
Montage-Typ | THT |
Pinanzahl | 3 |
Transistor-Konfiguration | Einfach |
Anzahl der Elemente pro Chip | 1 |
Gleichstromverstärkung min. | 230 @ 20 mA @ 10 V |
Basis-Emitter-Sättigungsspannung max. | 2 V |
Kollektor-Basis-Spannung max. | 2000 V |
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung max. | 2 V |
Kollektor-Abschaltstrom max. | 100µA |
Länge | 10.4mm |
Höhe | 15.75mm |
Abmessungen | 10.4 x 4.6 x 15.75mm |
Betriebstemperatur max. | +150 °C |
Verlustleistung max. | 40 W |
Breite | 4.6mm |
- RS Best.-Nr.:
- 168-8883
- Herst. Teile-Nr.:
- STP03D200
- Marke:
- STMicroelectronics
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