- RS Best.-Nr.:
- 178-4811
- Herst. Teile-Nr.:
- MJD112-1G
- Marke:
- onsemi
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- Herst. Teile-Nr.:
- MJD112-1G
- Marke:
- onsemi
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Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
NPN-Darlington-Transistoren, ON Semiconductor
Normen
Hersteller-Teilenummern mit S oder NSV als Präfix sind gemäß der Norm AEC-Q101 für die Automobilindustrie zugelassen.
Der on Semiconductor MJD112 ist der komplementäre Darlington-Leistungstransistor für allgemeine Leistungs- und Schaltanwendungen wie Ausgangs- oder Treiberstufen in Anwendungen wie Schaltreglern, Wandlern und Leistungsverstärkern.
Gerade Ausführung in Kunststoffhülsen
Diese Geräte sind bleifrei und RoHS-konform
Diese Geräte sind bleifrei und RoHS-konform
Technische Daten
Eigenschaft | Wert |
---|---|
Transistor-Typ | NPN |
Dauer-Kollektorstrom max. | 2 A |
Kollektor-Emitter-Spannung | 100 V |
Basis-Emitter Spannung max. | 5 V |
Gehäusegröße | IPAK (TO-251) |
Montage-Typ | THT |
Pinanzahl | 3 |
Transistor-Konfiguration | Einfach |
Anzahl der Elemente pro Chip | 1 |
Gleichstromverstärkung min. | 1000 |
Basis-Emitter-Sättigungsspannung max. | 4 V |
Kollektor-Basis-Spannung max. | 100 V |
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung max. | 3 V |
Kollektor-Abschaltstrom max. | 20µA |
Breite | 2.38mm |
Höhe | 6.35mm |
Abmessungen | 6.73 x 2.38 x 6.35mm |
Verlustleistung max. | 20 W |
Länge | 6.73mm |
Betriebstemperatur max. | +150 °C |
Betriebstemperatur min. | –65 °C |
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