- RS Best.-Nr.:
- 186-8165
- Herst. Teile-Nr.:
- TIP100G
- Marke:
- onsemi
Nicht mehr im Sortiment
- RS Best.-Nr.:
- 186-8165
- Herst. Teile-Nr.:
- TIP100G
- Marke:
- onsemi
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Rechtliche Anforderungen
- Ursprungsland:
- CN
Produktdetails
Der Darlington Bipolar-Leistungstransistor wurde für allgemeine Verstärker- und Low-Speed-Schaltanwendungen entwickelt. Die TIP100, TIP101, TIP102 (NPN), TIP105, TIP106, TIP107 (PNP) sind ergänzende Geräte.
Hohe DC-Stromverstärkung - hFE = 2500 (typ.) bei IC = 4,0 mADC
Collector-Emitter-Haltespannung--@ 30 mADC
VCEO(sus) = 60 Vdc (min.)-TIP100, TIP105
VCEO(sus) = 80 Vdc (min.)-TIP101, TIP106
VCEO(sus) = 100 Vdc (min.)-TIP102, TIP107
Niedrige Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung
VCE(sat) = 2,0 Vdc (max.) bei IC= 3,0 Adc
VCE(sat)= 2,5 Vdc (max.) @ IC= 8,0 Adc
Monolithische Konstruktion mit integrierten Shunt-Widerständen mit Base-Emitter
To-220 AB Kompaktpaket
Collector-Emitter-Haltespannung--@ 30 mADC
VCEO(sus) = 60 Vdc (min.)-TIP100, TIP105
VCEO(sus) = 80 Vdc (min.)-TIP101, TIP106
VCEO(sus) = 100 Vdc (min.)-TIP102, TIP107
Niedrige Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung
VCE(sat) = 2,0 Vdc (max.) bei IC= 3,0 Adc
VCE(sat)= 2,5 Vdc (max.) @ IC= 8,0 Adc
Monolithische Konstruktion mit integrierten Shunt-Widerständen mit Base-Emitter
To-220 AB Kompaktpaket
Technische Daten
Eigenschaft | Wert |
---|---|
Transistor-Typ | NPN |
Dauer-Kollektorstrom max. | 5 A DC |
Kollektor-Emitter-Spannung | 60 V dc |
Basis-Emitter Spannung max. | 5 V dc |
Gehäusegröße | TO-220 |
Montage-Typ | THT |
Pinanzahl | 3 |
Transistor-Konfiguration | Einfach |
Konfiguration | Single |
Anzahl der Elemente pro Chip | 1 |
Gleichstromverstärkung min. | 200 |
Kollektor-Basis-Spannung max. | 60 V dc |
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung max. | 2,5 V dc |
Länge | 10.53mm |
Verlustleistung max. | 80 W |
Betriebstemperatur max. | +150 °C |
Breite | 4.83mm |
Höhe | 15.75mm |
Abmessungen | 10.53 x 4.83 x 15.75mm |
Betriebstemperatur min. | –65 °C |