onsemi NPN Darlington-Transistor 50 V 500 mA HFE:1000, SOIC 16-Pin Einfach
- RS Best.-Nr.:
- 186-8994
- Herst. Teile-Nr.:
- ULN2003ADR2G
- Marke:
- onsemi
50 Lieferbar am folgenden Werktag (Mo-Fr) bei Bestelleingang werktags bis 22 Uhr.
225 weitere lieferbar innerhalb 1 Werktag(e) (Mo-Fr).
Im Warenkorb
Preis pro Stück (In einer VPE à 25)
0,524 €
(ohne MwSt.)
0,624 €
(inkl. MwSt.)
| Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
| 25 - 75 | 0,524 € | 13,10 € |
| 100 - 475 | 0,37 € | 9,25 € |
| 500 - 975 | 0,304 € | 7,60 € |
| 1000 - 2475 | 0,247 € | 6,175 € |
| 2500 + | 0,24 € | 6,00 € |
| *Bitte VPE beachten | ||
- RS Best.-Nr.:
- 186-8994
- Herst. Teile-Nr.:
- ULN2003ADR2G
- Marke:
- onsemi
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Die sieben in diesen Arrays mit NPN Darlington verbundenen Transistoren eignen sich hervorragend für das Betreiben von Lampen, Relais oder Druckerhämmern in einer Vielzahl von Industrie- und Verbraucheranwendungen. Ihre hohe Durchschlagspannung und interne Unterdrückdioden sorgen für die Freiheit von Problemen im Zusammenhang mit induktiven Lasten. Peak Einschaltströme bis 500 mA ermöglichen den Antrieb von Glühlampen. Der ULX2003A mit einem Eingangswiderstand der Serie 2,7 kΩ eignet sich hervorragend für Systeme mit einer 5,0 V TTL oder CMOS Logik.
Peak Einschaltströme bis 500 mA
Hohe Durchschlagsspannung
Interne Unterdrückungsdioden
Endprodukte
Industrielle Geräte
Drucker
Anwendungen
Fahrrelais oder Glühlampen
Fahren von Druckerhämmern
Hohe Durchschlagsspannung
Interne Unterdrückungsdioden
Endprodukte
Industrielle Geräte
Drucker
Anwendungen
Fahrrelais oder Glühlampen
Fahren von Druckerhämmern
Technische Daten
Eigenschaft | Wert |
|---|---|
| Transistor-Typ | NPN |
| Dauer-Kollektorstrom max. | 500 mA |
| Kollektor-Emitter-Spannung | 50 V |
| Gehäusegröße | SOIC |
| Montage-Typ | SMD |
| Pinanzahl | 16 |
| Transistor-Konfiguration | Einfach |
| Konfiguration | Single |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 |
| Gleichstromverstärkung min. | 1000 |
| Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung max. | 1,1 V dc |
| Kollektor-Abschaltstrom max. | 50µA |
| Länge | 10mm |
| Betriebstemperatur max. | +85 °C |
| Betriebstemperatur min. | –20 °C |
| Höhe | 1.5mm |
| Breite | 4mm |
| Abmessungen | 10 x 4 x 1.5mm |
| Basisstrom | 25mA |
Verwandte Produkte
- onsemi NPN Darlington-Transistor 60 V 8 A HFE:1000, TO-220 3-Pin Einfach
- STMicroelectronics NPN Darlington-Transistor-Array 1 QFN48 48-Pin
- onsemi NPN Darlington-Transistor 100 V 2 A HFE:1000, DPAK (TO-252)...
- onsemi NPN Darlington-Transistor 100 V 8 A HFE:1000, TO-220FP 3-Pin Einfach
- onsemi NPN Darlington-Transistor 100 V 2 A HFE:1000, IPAK (TO-251)...
- onsemi NPN Darlington-Transistor 50 V 500 mA HFE:1000, SOIC 16-Pin...
- onsemi NPN Darlington-Transistor 100 V 8 A HFE:1000, TO-220 3-Pin Einfach
- onsemi NPN Darlington-Transistor 80 V 1 A HFE:1000, SOT-223 3 +...