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    ams OSRAM Fotodiode IR 900nm Si, THT 5mm Gehäuse 2-Pin

    RS Best.-Nr.:
    195-697
    Herst. Teile-Nr.:
    SFH 203 FA
    Marke:
    ams OSRAM
    ams OSRAM
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    Produktdetails

    PIN-Fotodiode – Gehäuse T-1 3/4 (5 mm)


    Diese Serie von PIN-Fotodioden von OSRAM Opto Semiconductors ist in durchkontaktierten Standardgehäusen im Format T-1 3/4 (5 mm) untergebracht. Sie haben eine strahlungsempfindliche Fläche von 1 x 1 mm². Die Fotodioden im T-1 3/4-Gehäuse bieten eine kurze Schaltzeit. Sie eignen sich für Anwendungen wie Hochgeschwindigkeits-Fotounterbrecher, industrielle Elektronik und Steuerung sowie Antriebsstromkreise.


    IR-Fotodioden, OSRAM Opto Semiconductors

    Technische Daten

    EigenschaftWert
    Erkennbare SpektrenIR
    Wellenlänge der max. Empfindlichkeit900nm
    GehäusetypT1.3/4
    Montage TypTHT
    Anzahl der Pins2
    DiodenmaterialSi
    Wellenlänge min.800nm
    Wellenlänge max.1100nm
    Länge5.9mm
    Breite5.9mm
    Höhe über Panel9mm
    Spitzenphotosensibilität0.59A/W
    PolaritätPositiv
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