- RS Best.-Nr.:
- 185-9625
- Herst. Teile-Nr.:
- MICROFJ-40035-TSV-TR1
- Marke:
- onsemi
- RS Best.-Nr.:
- 185-9625
- Herst. Teile-Nr.:
- MICROFJ-40035-TSV-TR1
- Marke:
- onsemi
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
- Ursprungsland:
- IE
Produktdetails
Mikrozellen mit hoher Dichte
Die Sensoren der J-Serie verfügen über Terminal mit einzigartigem "schnellen Ausgang" von ON Semiconductor
Temperaturstabilität von 21,5 mV/°C
Außergewöhnliche Durchschlagsspannungsgleichmäßigkeit von ±250 mV
Erhältlich in einem mit Reflow-Lötverfahren kompatiblen Chip-Scale-Gehäuse des TSV
Extrem niedrige Dunkelzählraten von 50 kHz/mm2 (typisch)
Optimiert für Hochleistungs-Zeitsteuerungsanwendungen, wie z. B. ToF-PET
Sensorgrößen: 3 mm, 4 mm und 6 mm
Vorspannung von< 30 V.
Ergebnis: 50 % Photonenerkennungseffizienz (PDE) bei 420 nm
Verbesserte Signalanstiegszeit und Mikrozellen-Wiederherstellungszeit
Macht eine aktive Spannungsregelung überflüssig
Branchenführende Gleichmäßigkeit
Das TSG-Gehäuse sorgt für nahezu null Totraum und ermöglicht die Erstellung von Arrays mit hohem Füllfaktor. Es ist eisenmetallfrei
Anwendungen
Medizinische Bildgebung
Gefahr und Gefahr
3D-Bereichswahl und -Erfassung
Biophotonik und Wissenschaft
Hochenergiephysik
Die Sensoren der J-Serie verfügen über Terminal mit einzigartigem "schnellen Ausgang" von ON Semiconductor
Temperaturstabilität von 21,5 mV/°C
Außergewöhnliche Durchschlagsspannungsgleichmäßigkeit von ±250 mV
Erhältlich in einem mit Reflow-Lötverfahren kompatiblen Chip-Scale-Gehäuse des TSV
Extrem niedrige Dunkelzählraten von 50 kHz/mm2 (typisch)
Optimiert für Hochleistungs-Zeitsteuerungsanwendungen, wie z. B. ToF-PET
Sensorgrößen: 3 mm, 4 mm und 6 mm
Vorspannung von< 30 V.
Ergebnis: 50 % Photonenerkennungseffizienz (PDE) bei 420 nm
Verbesserte Signalanstiegszeit und Mikrozellen-Wiederherstellungszeit
Macht eine aktive Spannungsregelung überflüssig
Branchenführende Gleichmäßigkeit
Das TSG-Gehäuse sorgt für nahezu null Totraum und ermöglicht die Erstellung von Arrays mit hohem Füllfaktor. Es ist eisenmetallfrei
Anwendungen
Medizinische Bildgebung
Gefahr und Gefahr
3D-Bereichswahl und -Erfassung
Biophotonik und Wissenschaft
Hochenergiephysik
Technische Daten
Eigenschaft | Wert |
---|---|
Gehäusetyp | TSV |
Montage Typ | SMD |
Verstärkerfunktion | Nein |
Anzahl der Pins | 4 |
Diodenmaterial | Si |
Wellenlänge min. | 200nm |
Wellenlänge max. | 900nm |
Länge | 4mm |
Breite | 4mm |
Höhe über Panel | 0.46mm |
Serie | J |
Durchschlagspannung | 24.7V |
Verwandte Produkte
- onsemi C Fotodiode Sichtbares Licht Si, SMD SMT-Gehäuse 4-Pin
- onsemi QSD Fotodiode 880nm Si, THT 5mm Gehäuse 2-Pin
- Centronic APEX Fotodiode Si, THT TO46-Gehäuse 2-Pin
- onsemi J Fotodiode Si, SMD SMT-Gehäuse 4-Pin
- onsemi MicroFJ-30035-TSV Mounted onto a PCB with Three SMA...
- onsemi Fotodiode IR 940nm Si, SMD PLCC 2L-Gehäuse 2-Pin
- Hamamatsu Fotodiode Sichtbares Licht 550nm Si, SMD Kunststoff-Gehäuse 4-Pin
- Hamamatsu Fotodiode Sichtbares Licht 650nm Si, SMD Metall-Gehäuse 4-Pin