- RS Best.-Nr.:
- 652-0207P
- Herst. Teile-Nr.:
- BPW 34 S-Z
- Marke:
- OSRAM Opto Semiconductors
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- BPW 34 S-Z
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- OSRAM Opto Semiconductors
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Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
PIN-Fotodiode, DIL-Gehäuse
Diese IR-Fototransistoren von OSRAM Opto Semiconductors gehören zur Serie BPW 34. Sie werden in SMD-Gehäusen oder durchkontaktierten DIL-Kunststoffgehäusen mit einer strahlungsempfindlichen Fläche von 2,65 x 2,65 mm geliefert. Die IR-Fotodioden der Serie BPW 34 wurden für Anwendungen mit einem Wellenlängenbereich von bis zu 1100 nm entwickelt. Weitere geeignete Anwendungen umfassen: Fotounterbrecher, IR-Fernbedienungen und Kfz-Sensoren, Headsets usw.
IR-Fotodioden, OSRAM Opto Semiconductors
Technische Daten
Eigenschaft | Wert |
---|---|
Erkennbare Spektren | IR, Sichtbares Licht |
Wellenlänge der max. Empfindlichkeit | 850nm |
Gehäusetyp | DIP |
Montage Typ | SMD |
Verstärkerfunktion | Nein |
Anzahl der Pins | 2 |
Diodenmaterial | Si |
Wellenlänge min. | 400nm |
Wellenlänge max. | 1100nm |
Länge | 4.5mm |
Breite | 4mm |
Höhe über Panel | 1.2mm |
Spitzenphotosensibilität | 0.62A/W |
Polarität | Umgekehrt |