ams OSRAM Fotodiode IR 900nm Si, THT 3mm Gehäuse 2-Pin

RS Best.-Nr.:: 654-8053
Herst. Teile-Nr.:: SFH 229 FA
Marke:: ams OSRAM

ams OSRAM Fotodiode IR 900nm Si, THT 3mm Gehäuse 2-Pin

170 Lieferbar am folgenden Werktag (Mo-Fr) bei Bestelleingang werktags bis 22 Uhr.

1810 weitere lieferbar innerhalb 1 Werktag(e) (Mo-Fr).

Im Warenkorb

Preis pro Stück (In einer VPE à 10)

0,57 €

(ohne MwSt.)

0,68 €

(inkl. MwSt.)

Stück	Pro Stück	Pro Packung*
10 - 40	0,57 €	5,70 €
50 - 190	0,427 €	4,27 €
200 - 490	0,409 €	4,09 €
500 - 990	0,235 €	2,35 €
1000 +	0,215 €	2,15 €
*Bitte VPE beachten

Verpackungsoptionen:

Standardverpackung

Produktionsverpackung

RS Best.-Nr.:: 654-8053
Herst. Teile-Nr.:: SFH 229 FA
Marke:: ams OSRAM

Mehr Infos und technische Dokumente

Schematic Symbol & PCB Footprint

Rechtliche Anforderungen

Produktdetails

PIN-Fotodiode in 3-mm-Gehäuse (T-1)

Diese PIN-Fotodioden-Familie von OSRAM Opto Semiconductors befinden sich in durchkontaktierten 3-mm-Standardgehäusen (T-1). Sie haben eine strahlungsempfindliche Fläche von 0,56 x 0,56 mm². Die T-1-Fotodioden bieten einen sehr kurze Schaltzeit. Geeignete Anwendungen umfassen Fotointerruptoren, Industrieelektronik und Steuerungs- und Antriebskreise.

IR-Fotodioden, OSRAM Opto Semiconductors

Technische Daten

Eigenschaft	Wert
Erkennbare Spektren	IR
Wellenlänge der max. Empfindlichkeit	900nm
Gehäusetyp	T1
Verstärkerfunktion	Nein
Montage Typ	THT
Anzahl der Pins	2
Diodenmaterial	Si
Wellenlänge min.	730nm
Wellenlänge max.	1100nm
Fallzeit typ.	10ns
Länge	4mm
Breite	3mm
Höhe über Panel	5.2mm
Spitzenphotosensibilität	0.6A/W
Durchmesser	3.1mm
Regelanstiegszeit	10ns