ams OSRAM Fotodiode IR 950nm Si, SMD DIP-Gehäuse 2-Pin
- RS Best.-Nr.:
- 654-8570P
- Herst. Teile-Nr.:
- BP 104 FS-Z
- Marke:
- ams OSRAM
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Rechtliche Anforderungen
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Produktdetails
PIN-Fotodiode, empfindliche Fläche 2,2 x 2,2 mm
Diese PIN-Fotodioden von OSRAM Opto Semiconductors haben eine empfindliche Fläche von 2,2 x 2,2 mm². Sie sind mit oder ohne Tageslichtfilter erhältlich.
Diese PIN-Fotodioden sind ideal für Hochgeschwindigkeitsanwendungen.
Diese PIN-Fotodioden sind ideal für Hochgeschwindigkeitsanwendungen.
IR-Fotodioden, OSRAM Opto Semiconductors
Technische Daten
| Eigenschaft | Wert |
| Erkennbare Spektren | IR |
| Wellenlänge der max. Empfindlichkeit | 950nm |
| Gehäusetyp | DIP |
| Montage Typ | SMD |
| Verstärkerfunktion | Nein |
| Anzahl der Pins | 2 |
| Diodenmaterial | Si |
| Wellenlänge min. | 800nm |
| Wellenlänge max. | 1100nm |
| Länge | 4.5mm |
| Breite | 4mm |
| Höhe über Panel | 1.2mm |
| Spitzenphotosensibilität | 0.7A/W |
| Polarität | Positiv |