Vishay VEMD109 Fotodiode IR 920nm Si, SMD 2-Pin
- RS Best.-Nr.:
- 818-4415P
- Herst. Teile-Nr.:
- VEMD10940F
- Marke:
- Vishay
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Rechtliche Anforderungen
- Ursprungsland:
- CN
Produktdetails
PIN-Fotodioden Serie VEMD10940
Die VEMD10940F von Vishay Semiconductor ist eine Silizium-PIN-Fotodiode. Sie kommt in einem SMD-Miniaturgehäuse mit seitlicher Optik (SL). Die gewölbte Streuscheibe hat einen Tageslichtfilter. Zu den geeigneten Anwendungen der VEMD10940F gehören: Hochgeschwindigkeits-Fotodetektoren, IR-Fernbedienungen, IR-Datenübertragung, Lichtschranken-Detektoren und IR-Touch-Screen-Panels.
Merkmale der Fotodiode VEMD10940F:
Oberflächenmontage
Gehäuse mit seitlicher Optik
Abmessungen: 3 x 2 x 1 mm
Hohe Strahlungsempfindlichkeit
Schnelle Ansprechzeiten
Winkel für halbe Intensität: 75°
Oberflächenmontage
Gehäuse mit seitlicher Optik
Abmessungen: 3 x 2 x 1 mm
Hohe Strahlungsempfindlichkeit
Schnelle Ansprechzeiten
Winkel für halbe Intensität: 75°
IR-Fotodioden, Vishay Semiconductor
Technische Daten
Eigenschaft | Wert |
|---|---|
| Erkennbare Spektren | IR |
| Wellenlänge der max. Empfindlichkeit | 920nm |
| Montage Typ | SMD |
| Verstärkerfunktion | Nein |
| Anzahl der Pins | 2 |
| Diodenmaterial | Si |
| Wellenlänge min. | 780nm |
| Wellenlänge max. | 1050nm |
| Fallzeit typ. | 100ns |
| Länge | 3mm |
| Breite | 2mm |
| Höhe über Panel | 1mm |
| Serie | VEMD109 |
| Durchschlagspannung | 32V |
| Kurzschlussstrom | 3µA |
| Regelanstiegszeit | 100ns |
| Polarität | Plus |
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