- RS Best.-Nr.:
- 848-6281
- Herst. Teile-Nr.:
- UV-035EQ
- Marke:
- OSI Optoelectronics
46 lieferbar innerhalb von 1 Werktag(en) (Mo-Fr).
Im Warenkorb
Preis pro Stück
67,86 €
(ohne MwSt.)
80,75 €
(inkl. MwSt.)
Stück | Pro Stück |
1 - 4 | 67,86 € |
5 - 9 | 65,08 € |
10 + | 64,12 € |
- RS Best.-Nr.:
- 848-6281
- Herst. Teile-Nr.:
- UV-035EQ
- Marke:
- OSI Optoelectronics
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Fotodioden der Serie UV Enhanced von OSI
Bei der Serie UV Enhanced von OSI Optoelectronics handelt es sich um eine Serie von Silizium-Fotodioden mit verbesserter UV-Empfindlichkeit. Diese Serie umfasst zwei separate Produktfamilien von Fotodioden: Inversionskanal- und planare diffuse Struktur. Beide Familien sind für rauscharme Erkennung im UV-Bereich des elektromagnetischen Spektrums ausgelegt.
Die Produktfamilie mit Inversionsschichtstruktur zeigt 100 % interne Quanten-Ausbeute. Mit hohem Shuntwiderstand, rauscharmem Verhalten und hohen Durchschlagsspannungen ist diese Familie von Fotodioden ideal für Lichtmessungen mit niedriger Intensität.
Fotodioden mit der planaren diffusen Struktur bieten eine niedrigere Kapazität und höhere Ansprechzeit im Vergleich zur Inversionsschichtfamilie. Sie zeigen außerdem Linearität des Fotostroms bis zu höherer Lichteingangsleistung im Vergleich zu den Inversionsschicht-Fotodioden.
Geeignete Anwendungen für die Serie UV Enhanced ist die Überwachung der Verschmutzung, medizintechnische Messtechnik, UV-Belichtungsmesser, Spektroskopie, Wasseraufbereitung und Fluoreszenz.
Die Produktfamilie mit Inversionsschichtstruktur zeigt 100 % interne Quanten-Ausbeute. Mit hohem Shuntwiderstand, rauscharmem Verhalten und hohen Durchschlagsspannungen ist diese Familie von Fotodioden ideal für Lichtmessungen mit niedriger Intensität.
Fotodioden mit der planaren diffusen Struktur bieten eine niedrigere Kapazität und höhere Ansprechzeit im Vergleich zur Inversionsschichtfamilie. Sie zeigen außerdem Linearität des Fotostroms bis zu höherer Lichteingangsleistung im Vergleich zu den Inversionsschicht-Fotodioden.
Geeignete Anwendungen für die Serie UV Enhanced ist die Überwachung der Verschmutzung, medizintechnische Messtechnik, UV-Belichtungsmesser, Spektroskopie, Wasseraufbereitung und Fluoreszenz.
Merkmale der Serie UV Enhanced:
Inversionsschichten oder planare diffuse Silizium-Fotodioden
Ausgezeichnetes UV-Ansprechen
Inversionsschichten oder planare diffuse Silizium-Fotodioden
Ausgezeichnetes UV-Ansprechen
Fotodioden, OSI Optoelectronics
Technische Daten
Eigenschaft | Wert |
---|---|
Erkennbare Spektren | UV |
Wellenlänge der max. Empfindlichkeit | 720nm |
Gehäusetyp | TO8 |
Montage Typ | THT |
Verstärkerfunktion | Nein |
Anzahl der Pins | 2 |
Diodenmaterial | Si |
Höhe über Panel | 5.21mm |
Durchmesser | 13.97mm |
Spitzenphotosensibilität | 0.14A/W |
Polarität | Umgekehrt |
- RS Best.-Nr.:
- 848-6281
- Herst. Teile-Nr.:
- UV-035EQ
- Marke:
- OSI Optoelectronics
Verwandte Produkte
- OSI Optoelectronics DL Fotodiode Si
- OSI Optoelectronics UV Fotodiode UV 980nm Si, THT Keramik-Gehäuse 2-Pin
- OSI Optoelectronics DL Fotodiode 670nm Si, THT TO8-Gehäuse 3-Pin
- OSI Optoelectronics PIN Fotodiode Sichtbares Licht 900nm Si, THT...
- OSI Optoelectronics OSD Fotodiode IR 436nm Si, THT TO8-Gehäuse 3-Pin
- OSI Optoelectronics PIN Fotodiode IR 970nm Si, THT TO8-Gehäuse 2-Pin
- OSI Optoelectronics UV Fotodiode 254nm Si, THT Flaches Profil-Gehäuse 3-Pin
- OSI Optoelectronics Fotodiode UV 980nm Si, THT Keramik-Gehäuse 2-Pin