- RS Best.-Nr.:
- 915-4869
- Herst. Teile-Nr.:
- BPW 34 FSR-Z
- Marke:
- ams OSRAM
Zurzeit nicht verfügbar, Versand erfolgt sobald lieferbar.
Im Warenkorb
Preis pro Stück (In einer VPE à 20)
0,577 €
(ohne MwSt.)
0,687 €
(inkl. MwSt.)
Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
20 - 180 | 0,577 € | 11,54 € |
200 - 380 | 0,544 € | 10,88 € |
400 - 780 | 0,467 € | 9,34 € |
800 - 1480 | 0,434 € | 8,68 € |
1500 + | 0,389 € | 7,78 € |
*Bitte VPE beachten |
- RS Best.-Nr.:
- 915-4869
- Herst. Teile-Nr.:
- BPW 34 FSR-Z
- Marke:
- ams OSRAM
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Nicht-konform
- Ursprungsland:
- CN
Produktdetails
PIN-Fotodiode, DIL-Gehäuse
Diese IR-Fototransistoren von OSRAM Opto Semiconductors gehören zur Serie BPW 34. Sie werden in SMD-Gehäusen oder durchkontaktierten DIL-Kunststoffgehäusen mit einer strahlungsempfindlichen Fläche von 2,65 x 2,65 mm geliefert. Die IR-Fotodioden der Serie BPW 34 wurden für Anwendungen mit einem Wellenlängenbereich von bis zu 1100 nm entwickelt. Weitere geeignete Anwendungen umfassen: Fotounterbrecher, IR-Fernbedienungen und Kfz-Sensoren, Headsets usw.
IR-Fotodioden, OSRAM Opto Semiconductors
Technische Daten
Eigenschaft | Wert |
---|---|
Wellenlänge der max. Empfindlichkeit | 950nm |
Gehäusetyp | DIL |
Verstärkerfunktion | Nein |
Montage Typ | SMD |
Anzahl der Pins | 2 |
Diodenmaterial | Si |
Wellenlänge min. | 780nm |
Wellenlänge max. | 1100nm |
Fallzeit typ. | 0.02µs |
Länge | 4.5mm |
Breite | 4mm |
Höhe über Panel | 1.2mm |
Regelanstiegszeit | 0.02µs |
Kurzschlussstrom | 25µA |
Polarität | Plus |
Serie | BPW 34 |