- RS Best.-Nr.:
- 159-6563
- Herst. Teile-Nr.:
- BPW85
- Marke:
- Vishay
- RS Best.-Nr.:
- 159-6563
- Herst. Teile-Nr.:
- BPW85
- Marke:
- Vishay
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Rechtliche Anforderungen
- Ursprungsland:
- PH
Produktdetails
Fototransistoren Serie BPW85
Die Serie BPW85 von Vishay Semiconductor ist eine Familie von Silizium-NPN-Fototransistoren. Sie werden standardmäßig mit 3 mm (T-1) Kunststoffgehäuse mit klarer Linse geliefert. Die Fototransistoren BPW85 sind empfindlich für sichtbare und Nahe-IR-Strahlung. Die Serie BPW85 umfasst BPW85, BPW85A, BPW85B und BPW85C, und sie sind ideal für Detektoren in elektronischen Steuerungs- und Antriebsstromkreisen.
Merkmale der Fototransistoren BPW85:
3 mm (T-1) Gehäuse
Durchgangsbohrung
Hohe Fotoempfindlichkeit
Hohe Strahlungsempfindlichkeit
Schnelle Ansprechzeiten
Winkel für halbe Intensität: 25°
Betriebstemperatur: –40 bis 100 °C
3 mm (T-1) Gehäuse
Durchgangsbohrung
Hohe Fotoempfindlichkeit
Hohe Strahlungsempfindlichkeit
Schnelle Ansprechzeiten
Winkel für halbe Intensität: 25°
Betriebstemperatur: –40 bis 100 °C
IR-Fotodioden, Vishay Semiconductor
Technische Daten
Eigenschaft | Wert |
---|---|
Erkennbare Spektren | IR, Sichtbares Licht |
Fallzeit typ. | 2.3µs |
Regelanstiegszeit | 2µs |
Anzahl der Kanäle | 1 |
Lichtstrom max. | 8000µA |
Dunkelstrom max. | 200nA |
Empfindlichkeit-Halbwertswinkel | ±25° |
Polarität | NPN |
Anzahl der Pins | 2 |
Montage Typ | THT |
Gehäusetyp | 3 mm (T-1) |
Abmessungen | 3 x 4.5mm |
Kollektorstrom | 50mA |
Wellenlänge max. | 1080nm |
Wellenlänge min. | 450nm |
Empfindlichkeit im Spektralbereich | 450 → 1080 nm |
Durchmesser | 3mm |
Höhe über Panel | 4.5mm |
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