Vishay THT NPN Fototransistor IR 2μs, 875nm → 1000nm / 3200μA, 2-Pin T1
- RS Best.-Nr.:
- 165-2868
- Herst. Teile-Nr.:
- TEFT4300
- Marke:
- Vishay
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Rechtliche Anforderungen
- Ursprungsland:
- PH
Produktdetails
Fototransistor der Serie TEFT4300
Die Serie TEFT4300 von Vishay Semiconductor umfasst Silizium-NPN-Fototransistoren. Sie befinden sich in durchkontaktierten 3-mm-(T-1)-Standardgehäusen. Ein schwarzes Gehäuse aus Kunststoff bietet einen Tageslicht-Sperrfilter für sichtbares Umgebungslicht. Der TEFT4300 ist ideal für Anwendungen wie z. B. optische Schalter, Zähler und Sortierer, Unterbrecher, Encoder und Positionssensoren.
Merkmale der TEFT4300-Fototransistoren:
3 mm (T-1) Gehäuse
Durchgangsbohrung
Schwarzes Kunststoffgehäuse
Tageslichtfilter
Hohe Strahlungsempfindlichkeit
Schnelle Ansprechzeiten
Winkel für halbe Intensität: 30°
Betriebstemperatur: –40 bis 100 °C
3 mm (T-1) Gehäuse
Durchgangsbohrung
Schwarzes Kunststoffgehäuse
Tageslichtfilter
Hohe Strahlungsempfindlichkeit
Schnelle Ansprechzeiten
Winkel für halbe Intensität: 30°
Betriebstemperatur: –40 bis 100 °C
IR-Fotodioden, Vishay Semiconductor
Technische Daten
Eigenschaft | Wert |
|---|---|
| Erkennbare Spektren | IR |
| Fallzeit typ. | 2.3µs |
| Regelanstiegszeit | 2µs |
| Anzahl der Kanäle | 1 |
| Lichtstrom max. | 3200µA |
| Dunkelstrom max. | 200nA |
| Empfindlichkeit-Halbwertswinkel | 60° |
| Polarität | NPN |
| Anzahl der Pins | 2 |
| Montage Typ | THT |
| Gehäusetyp | T1 |
| Abmessungen | 3.2 x 3.9 x 4.5mm |
| Kollektorstrom | 50mA |
| Wellenlänge min. | 875nm |
| Wellenlänge max. | 1000nm |
| Empfindlichkeit im Spektralbereich | 875 → 1000 nm |
| Länge | 3.2mm |
| Breite | 3.9mm |
| Höhe über Panel | 4.5mm |
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