ON Semiconductor 25 °C Fototransistor QSE114, Infrarot, Side-View Gehäuse Durchsteckmontage

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RoHS Status: kompatibel (Zertifikat anzeigen)
Ursprungsland: MY
Produktdetails

IR-Fototransistor Serie QSE113/QSE114

Die Serie QSE-113/QSE114 von Fairchild Semiconductor ist eine Reihe von Silizium-IR-Fototransistoren. Sie befinden sich in einer SL-Packung mit seitlicher Optik (SL) und durchgehender Bohrung. Die schwarzen Kunststoffgehäuse haben einen breiten Winkel und sind IR-transparent.

Merkmale der QSE113/QSE114 IR-Fototransistoren:
Infrarot-Fototransistor, NPN-Silizium
Gehäusetyp: seitliche Optik
Mittelbreiter Empfangswinkel, 50°
Gehäusematerial und -farbe: schwarzes Epoxidharz
Tageslichtfilter
Hohe Empfindlichkeit
Betriebstemperatur: -40 bis +100 °C

IR-Fototransistoren, Fairchild Semiconductor

Technische Daten
Eigenschaft Wert
Erkennbare Spektren Infrarot
Fallzeit typ. 8µs
Regelanstiegszeit 8µs
Anzahl der Kanäle 1
Dunkelstrom max. 100nA
Empfindlichkeit-Halbwertswinkel 25 °C
Anzahl der Pins 2
Montage Typ Durchsteckmontage
Gehäusetyp Side Looker
Abmessungen 4.44 x 2.54 x 5.08mm
Kollektorstrom 1.50mA
Breite 2.54mm
Empfindlichkeit im Spektralbereich 880 nm
Wellenlänge max. 880nm
Höhe über Panel 5.08mm
Länge 4.44mm
Zurzeit nicht verfügbar, Versand erfolgt sobald lieferbar.
Preis pro: Stück (In in einem Beutel mit 500)
0,234
(ohne MwSt.)
0,278
(inkl. MwSt.)
Stück
Pro Stück
Pro Beutel*
500 - 500
0,234 €
117,00 €
1000 - 2500
0,22 €
110,00 €
3000 - 4500
0,202 €
101,00 €
5000 - 9500
0,187 €
93,50 €
10000 +
0,176 €
88,00 €
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