ON Semiconductor Fototransistor QRD1114, Infrarot, Custom 4L Durchsteckmontage

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Rechtliche Anforderungen
RoHS Status: kompatibel (Zertifikat anzeigen)
Ursprungsland: TH
Produktdetails

Der Reflexions-Sensor QRD1113/14 besteht aus einer Infrarot-Emitterdiode und einem NPN-Silizium-Foto-Darlington, das nebeneinander in einem schwarzen Kunststoffgehäuse montiert ist. Die On-Axis-Strahlung des Emitters und das On-Axis-Ansprechen des Detektors sind beide senkrecht zur Stirnseite des QRD1113/14. Das Foto Darlington reagiert nur dann auf die von der Diode abgegebene Strahlung, wenn sich ein reflektierendes Objekt oder eine reflektierende Oberfläche im Sichtfeld des Detektors befindet.

Fototransistorausgang
Kontaktfreie Oberflächenerfassung
Unfokussiert zur Erfassung diffuser Oberflächen
Kompaktes Gehäuse
Tageslichtfilter am Sensor
Anwendungen:
Medizinische Elektronik/Geräte
Automation
Prüfung und Messung
Gebäude- und Heimsteuerung

Technische Daten
Eigenschaft Wert
Erkennbare Spektren Infrarot
Fallzeit typ. 50µs
Regelanstiegszeit 10µs
Anzahl der Kanäle 1
Dunkelstrom max. 100nA
Anzahl der Pins 4
Montage Typ Durchsteckmontage
Gehäusetyp Custom 4L
Abmessungen 4.39 x 6.1 x 4.65mm
Kollektorstrom 1 (Minimum)mA
Höhe über Panel 4.65mm
Wellenlänge max. 940nm
Kollektor-Emitter-Spannung 30V
Sättigungsspannung 0.4V
Ausgangssignaltyp Phototransistor
Empfindlichkeit im Spektralbereich 940 nm
Breite 6.1mm
Länge 4.39mm
Emitter-Kollektor-Spannung 5V
400 lieferbar innerhalb von 2 Werktag(en) (Mo-Fr).
Preis pro: Stück (In in einem Beutel mit 100)
0,941
(ohne MwSt.)
1,12
(inkl. MwSt.)
Stück
Pro Stück
Pro Beutel*
100 - 400
0,941 €
94,10 €
500 - 900
0,763 €
76,30 €
1000 +
0,695 €
69,50 €
*Bitte VPE beachten
Nicht als Expresslieferung erhältlich.